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本发明公开了一种晶圆级超薄单晶锗薄膜的减薄溶液及湿法制备工艺，减薄溶液，组成如下：氟化氨1‑5％；双氧水2‑8％；氢氟酸0.5‑3％；溶剂为水，％为质量百分数；将锗晶圆片清洗后，置于所述减薄溶液中进行减薄；减薄完成后，经过清洗、吹干，即可。通过该工艺得到的锗薄膜可实现厚度的有效控制，针对不同需求可选择不同的厚度。通过该工艺得到的锗薄膜无需进行机械研磨，无需考虑研磨带来的损伤层和应力导致的翘曲等问题。通过该工艺得到的锗薄膜具有极高的结晶度和亚纳米级的粗糙度，基本满足各类器件的需求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118064985A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410229276.0
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人山东大学
地址250101
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