GB/T 43894.1-2024半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD).pdf

ICS77.040

CCSN21GB

中华人民共和国国家标准

GB/T43894.1-2024

半导体晶片近边缘几何形态评价

第1部分：高度径向二阶导数法CZDD)

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry-

PartI:Measuredh创ghtdataarrayusingacurvaturemetric(ZDD)

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局电古

国家标准化管理委员会＂－＂－.,,,

CU/T43894.1-2024

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目IJ~

本文件按照心B/TI.1-2020《标消化丁．作导则第l部分．标准化文件的统构和赳J在规则u的规定

起草：．

本文件是GB/T43894《宇导体1111片近边缘儿何形态评价》的第l部分.e.;B/T43894已经发布了

以下部分：

一一第1部分：岗JJ1:径向二阶导数＜ZOO)。

消注意本文件的某些内容可能涉及专利．本文件的发布机构不承担识｝）IJ专利的资任．

本文件fl:!全国半导体设备相材料标准化技术委员会（SAC／’I℃203）与全国半导体设备和l材料标准

化技术委员会材料分技术委员会臼八C/TC203/SC2）共同提：11并归川．

本文件;lg1在单位：1l1.ii正有研、卡导体材料有限公司、浙iT.Rfi;]rpI伏，目阀、件导体科技有限公司、金硝泌

微也子（荔兴）有限公司、中环领先半导体材料街限公司，，..均二天域半导体股份有限公Iii、jJ~lf!.科技（集

团〉｝役份有限公词．

本文件主~起草人．王1月、朱晓彤、fiJ＼燕、宁水锋、徐新华、徐国科、拿存阳、张海炎、陈海婷、丁雄杰、

邬汪犯。

I

GB/T43894.1-2024

引

随着碰片芷l：役的地IJ日耳11线宽的不l听降低.j(.jfi.E片几何参数的要求也在不断担J;ir,.fi.E片的l1i边缘庆

域是影响磁片儿何参盖宽的革；要因素，目前大.i:J：径碰片近边缘阪峨的厚度、平f~度等形态的段11~1难度较

大，l均此有效地评价和lil位大直径硅片的近.ill缘几何形态，对于提高磁片整体fillfil:Fil集成电路心片的成

品率．促进技术伏的升级有:(f哦耍的意义．该系列标准［I1lli主要用于磁片，其以峨的划分和H·势；可推广

至此他半导体材料I日，片.GBIT1389·1拟向四个部分构成．

一一第1部分：高度径向二阶等数tkZDD).白的在于使用径向二i价导数方法评价半导体，而片近

边缘几何形态．

一一第2部分z边缘卷曲法RO八〉．臼的在于使用利用边缘卷陶度评价半导体品片近边缘几M

形态。

一一第3部分：,!j;j形区域Jnj部平吸度法．目的在于获~~』近边缘扇］居区城平稳度]ft而评价近边缘几

何形态．

一