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4H-SiC大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究的开题报告

1.研究背景

4H-SiC（碳化硅）材料因其具有高电场强度、高温稳定性、较高的载流能力和低的反向漏电流等优点，已经广泛应用于高功率电子器件领域。在4H-SiC材料中，肖特基二极管是一种很有潜力的高功率电子器件，具有开关速度快、低导通压降和低反向漏电流等特点，在电力电子、光电子和微波领域等方面都具有重要的应用。

2.研究目的

本研究的目的是设计并优化4H-SiC肖特基二极管的器件结构和工艺流程，以实现更高的电性能和更好的稳定性。具体目标包括：

（1）通过数值仿真和理论分析，确定适合高功率电子器件应用的肖特基二极管的结构参数。

（2）开发新的工艺流程，实现肖特基二极管的高效制备，提高器件的可靠性和一致性。

（3）对制备的肖特基二极管进行电学和物理测试，评估器件的性能和稳定性。

3.研究内容

（1）肖特基二极管的结构设计

通过数值仿真和理论分析，确定适合高功率电子器件应用的肖特基二极管的结构参数。主要包括：

①肖特基金属的材料选择和尺寸优化；

②感性降压结构的设计和优化；

③电极布局的设计和优化。

（2）肖特基二极管的制备工艺研究

开发新的工艺流程，实现肖特基二极管的高效制备，提高器件的可靠性和一致性。主要包括：

①磊晶生长方法的选择和优化；

②肖特基金属和预留电极的蒸镀过程优化；

③硅膜的沉积和刻蚀工艺优化；

④退火和电性测试的工艺流程优化。

（3）肖特基二极管的电学和物理测试

对制备的肖特基二极管进行电学和物理测试，评估器件的性能和稳定性。主要包括：

①I-V特性测试；

②静态和动态特性测试；

③温度和压力对器件性能的影响测试。

4.研究意义

本研究将为4H-SiC肖特基二极管在高功率电子器件领域中的应用提供技术支撑，具有重要的科学意义和应用价值。预计能够实现更高的电性能和更好的稳定性，提高器件的可靠性和一致性，进一步推动4H-SiC肖特基二极管技术在高功率电子器件领域的发展和应用。