碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法.pdfVIP

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试

方法

Testmethodforsurfacequalityandmicropipedensityofsiliconcarbidepolishing

wafers

(征求意见稿)

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203）和全国半导体设备与材料标准化

技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、芜

湖启迪半导体有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、东莞市天域半导体有限公司、浙江东尼电子

股份有限公司

本文件主要起草人：

I

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碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试方法

1范围

本文件规定了4H及6H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、

凹坑、小丘、颗粒等。

本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度为300μm-800μm碳化硅

抛光片的表面质量和微管密度的测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

GB/T30656碳化硅单晶抛光片

3术语和定义

GB/T14264、GB/T30656规定的术语和定义适用于本文件。

4方法原理

采用共焦点微分干涉光学系统，入射光（546nm）通过诺马斯基棱镜和物镜后照射到晶片表面，晶

片表面反射的光线通过共聚焦光学系统到达检测器（CCD），对待测晶片进行全表面扫描，获得晶片

表面各个位置的真实图像，与预设的各种缺陷的特征参数信息相比较，对采集到的缺陷进行分类识别并

对缺陷的数量进行统计，可以获得各类缺陷在晶片表面的分布图，以及各类缺陷的数量。具体测试原理

见图1。

图1共焦点微分干涉光学系统测试原理图

1

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5干扰因素

5.1晶片表面或者样品台上的沾污会对颗粒测试结果产生影响；

5.2光源稳定性会对测试结果产生影响。

5.3晶体待测面的表面粗糙度对测试结果有影响。

6试验条件

6.1温度：23℃±3℃；

6.2环境相对湿度：40%～70%；

6.3洁净区空气等级：优于GB/T25915.1中规定的ISO6级；

6.4测试环境应有电磁屏蔽、去静电装置、良好接地的测试机台、工频电源滤波装置，周围无腐蚀性

气氛及震动。

7仪器设备