GaN非极性LED的研制的开题报告.docxVIP

m面InGaN/GaN非极性LED的研制的开题报告

1.研究背景和目的

目前，LED作为高效、可靠的光源已逐渐适用于照明、显示等领域。在LED光电子材料中，InGaN/GaN材料体系被广泛应用，其紫光、蓝光发光二极管已得到广泛的研究和商业化应用。然而，由于InGaN/GaN材料体系具有极高的晶格失配度，因此取向控制对于实现高质量的InGaN/GaN异质结具有重要意义。非极性LED在克服极性LED的表面电场效应和提高量子效率方面具有重要优势。因此，本研究旨在开发一种高效的非极性InGaN/GaNLED。

2.研究内容和深度

本研究将结合MOCVD材料研究、器件物理和表征技术，综合研究非极性InGaN/GaNLED。具体研究内容包括：

（1）优化非极性InGaN/GaN异质结生长的条件，提高材料的晶体质量和异质结结晶质量；

（2）设计和制备高电芯密度的非极性InGaN/GaNLED器件结构，并研究其在大电流注入下的导电和发光性能；

（3）研究非极性LED的光谱特性、外延结构、电特性等，并分析其性能表现的原因。

3.预期结果与意义

本研究的预期结果包括:优化生长无极性InGaN/GaN异质结的生长条件，实现高质量的异质结结晶；设计并制备高电芯密度的非极性InGaN/GaNLED器件结构以提高器件性能；深入研究非极性LED器件的光谱特性、电性能特性等，为开发高效、稳定的照明和显示应用LED提供理论基础和实际应用价值。

4.研究基础和条件

本项目实验室设备完善，具备MOCVD、分子束外延等生长设备，还具有多种器件表征测试设备，如光谱仪、调制型激光器、电特性测试系统等，可以完成异质结生长、器件制备和表征测试等方面的研究工作。

5.研究计划和进度安排

（1）前期工作（1个月）：理论研究和进行相关文献检索；制备非极性材料试片；进行试片表征和性能评估。

（2）第二阶段（3个月）：优化非极性InGaN/GaN异质结生长条件；制备非极性LED器件，并进行相应的测试和表征。

（3）第三阶段（2个月）：对非极性LED器件进行深入的电学、光谱学表征，并对器件的性能进行分析和评估。

（4）第四阶段（2个月）：进一步优化器件结构，并进行器件优化后的性能测试和表征。

（5）结题阶段（1个月）：完成项目总结报告，撰写学术论文并进行展示。