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半导体存储器装置.pdfVIP

半导体存储器装置.pdf

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    提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，具有竖直堆叠在基底上的多个层，每个层包括：第一位线和栅极线，在第一方向上延伸，第一半导体图案，在第一位线和栅极线之间沿第二方向延伸，第二方向与第一方向交叉，以及第二半导体图案，跨越第一栅极绝缘层与栅极线相邻，第二半导体图案在第一方向上延伸；第一字线，与第一半导体图案相邻并从基底在第三方向上竖直延伸，第三方向与第一方向和第二方向垂直；第二位线，连接到第二半导体图案的一端并从基底在第三方向上竖直延伸；以及第二字线，连接到第二半导体图案的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111435660A

    (43)申请公布日

    2020.07.21

    (21)申请号20191

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