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本发明公开了一种氧化镓基二端双向紫外光响应人工突触及其制备方法。通过0.5‑1wt％Si掺杂Ga2O3/ZnO异质结的构建，制备了对紫外光具有可逆光响应的平面二端型人工突触器件。通过底层ZnO在吸收370nm紫外光后产生的光生电子注入效应，原本只能对255nm紫外光产生正向光响应的Ga2O3器件也能对370nm紫外光产生负向光响应。通过紫外脉冲频率的调节，人工突触器件的电导可以在一定范围内实现非易失性的可逆调控。本发明解决了以往Ga2O3基人工突触必须依赖栅压进行电导调控的问题，简化了器件的电路
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099255A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410126513.0
(22)申请日2024.01.30
(71)申请人浙江大学
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