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本申请涉及半导体金属配线技术领域，具体涉及一种蚀刻液、刻蚀方法及阵列基板的制备方法，提供一种蚀刻液，包括质量份数为8‑15份的氧化剂、质量份数为0.0005‑0.006份的氟化物、质量份数为3‑6份的螯合剂、质量份数为2‑5份的有机碱、质量份数小于等于2份的唑类化合物和质量份数小于等于3份的抗电位刻蚀剂、以及质量份数为60‑85份的溶剂。用上述蚀刻液一次湿法蚀刻一次干法蚀刻阵列基板中的金属层和半导体层，成功改善了非晶硅层刻蚀拖尾问题，并且将两次湿法蚀刻两次干法蚀刻缩减成一次湿法蚀刻一次干法蚀刻，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118085870A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410067272.7C09K13/08(2006.01)
(22)申请日2024.01.
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