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授课教师：张建国
实验室：计算机学院112房间
办公室：211楼1101房间
电话：028E-mail:
;第4章绝缘栅场效应晶体管;场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）是另一类重要的微电子器件（与PN结和双极性晶体管有何不同？）。这是一种电压控制型多子导电器件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有以下优点：;;JFET和MESFET的工作原理相同。以JFET为例，用一个低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作PN结，并加上反向电压。利用PN结势垒区宽度随反向电压的变化而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种FET的不同之处仅在于，JFET是利用PN结作为控制栅，而MESFET则是利用金-半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。;J-FET的基本结构;J-FET的基本结构;MESFET的基本结构;MESFET的基本结构;相关参数:
PN结势垒：假定本征载流子浓度ni＝1.5×1010/cm2,Si介电常数为11.7，为8.85×10－14F/cm,NA＝1.0×1016/cm3，ND=1.0×1015/cm2，反偏时电压为5伏。
肖特基势垒：假定金属Au的功函数Wm为4.75eV，n型Si功函数Ws为4.2508eV，ND=1×1016/cm3，反偏时电压为2伏。;绝缘栅场效应晶体管按其早期器件的纵向结构又被称为“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”，简称为MOSFET，但现在这种器件的栅电极实际不一定是金属，绝缘栅也不一定是氧化物，但仍被习惯地称为MOSFET。;MOSFET的立体结构;P型衬底;4.1.2MOSFET的工作原理;转移特性曲线：VDS恒定时的VGS~ID曲线。MOSFET的转移特性反映了栅源电压VGS对漏极电流ID的控制能力。;P沟道MOSFET的特性与N沟道MOSFET相对称，即：
(1)衬底为N型，源漏区为P+型。
(2)VGS、VDS的极性以及ID的方向均与N沟相反。
(3)沟道中的可动载流子为空穴。
(4)VT0时称为增强型（常关型），VT0时称为耗尽型（常开型）。;①线性区
当VDS很小时，沟道就象一个阻值与VDS无关的固定电阻，这时ID与VDS成线性关系，如图中的OA段所示。;②过渡区
随着VDS增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当VDS增大到VDsat(饱和漏源电压)时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被夹断，如图中的AB段所示。
线性区与过渡区统称为非饱和区，有时也统称为线性区。;③饱和区
当VDSVDsat后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时ID几乎与VDS无关而保持常数IDsat，曲线为水平直线，如图中的BC段所示。
实际上ID随VDS的增大而略有增大，曲线略向上翘。;④击穿区
当VDS继续增大到BVDS时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源间发生穿通，ID急剧增大，如图中的CD段所示。;将各曲线的夹断点用虚线连接起来，虚线左侧为非饱和区，虚线右侧为饱和区。;4种类型MOSFET的特性曲线小结
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