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2024-05-29 发布于四川
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双J-K正沿触发器及半导体器件.pdf

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本申请提供了一种双J‑K正沿触发器及半导体器件，双J‑K正沿触发器包括：触发器本体、抗闩锁结构和ESD保护电路；在双J‑K正沿触发器的版图中，PMOS和NMOS之间间距大于指定距离阈值，在PMOS和NMOS之间设置抗闩锁结构；ESD保护电路一端连接触发器本体的内部电路；ESD保护电路的另一端连接版图中的PAD；ESD保护电路用于增强触发器的抗静电能力。该触发器中增加了抗闩锁结构和增强ESD保护结构，能够提高触发器的抗闩锁能力以及避免发生寄生效应。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118100872A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410509620.1

(22)申请日2024.04.26

(71)申请人天水天光半导体有限责任公司

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