磁隧道结完整版本.pptxVIP

磁隧道结の前世今生;量子隧道效应

是基本的量子现象之一，即当微观粒子的总能量小于势垒高度时，该粒子仍能穿越这一势垒。按经典理论，粒子为了脱离此能量的势垒，必须从势垒的顶部越过。但由于量子力学中的量子不确定性，时间和能量为一组共轭量。在很短的时间中（即时间很确定），能量可以很不确定，从而使一个粒子看起来像是从“隧道”中穿过了势垒。;早在1975年,Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道结(MagneticTunnelJunctions，MTJs)（注：MTJs的一般结构为铁磁层/非磁绝缘层/铁磁层(FM/I/FM)的三明治结构）中观察到了TMR效应。但是，这一发现当时并没有引起人们的重视。

1988年,巴西学者Baibich在法国巴黎大学物理系Fert教授领导的科研组中工作时，首先在Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻(GMR)效应。TMR效应和GMR效应的发现导致了凝聚态物理学中新的学科分支——磁电子学的产生。;结构简介;在铁磁材料中，由于量子力学交换作用，铁磁金属的3d轨道局域电子能带发生劈裂，使费米(Fermi)面附近自旋向上和向下的电子具有不同的能态密度。

在MTJs中，TMR效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。MTJs的一般结构为铁磁层/非磁绝缘层/铁磁层(FM/I/FM)的三明治结构。饱和磁化时，两铁磁层的磁化方向互相平行，而通常两铁磁层的矫顽力不同，因此反向磁化时，矫顽力小的铁磁层磁化矢量首先翻转，使得两铁磁层的磁化方向变成反平行。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。;图1;?;?;为了使两个铁磁层的磁化强度能够平行或反平行排列,可以采用如下方法:(1)沉积钉扎层；(2)沉积MnFe等反铁磁藕合层；(3)两个铁磁层分别选用矫顽力不同的材料,如CoFe和NiFe；(4)通过控制制备条件使铁磁层具有不同的矫顽力。

测量隧道结的输运特性需采用电流垂直膜面(CPP)方式。因此隧道结的制备常采用两种特别技术,一是光刻，另一种是原位掩膜。光刻的优点是结的数目和尺寸比较容易控制,但制备过程较复杂。;?;(1)制作作具有高磁电阻的小面积MTJ；

(2)降低MTJ的势垒高度,以获得较好的信噪比；

(3)提高结构热稳定性至300℃,以承受电子器件制备过程中相对较高的热处理温度；

(4)提高磁电阻对结电压的耐受性,如采用双隧道结结构等；

(5)技术上,开发磁性层和势垒层的无缺陷制备技术；

(6)物理上,探索开发新型的势垒材料,如对通过掺杂磁性和非磁性离子对势垒层进行人工调制等。;?;谢谢观看！