单片机开发技术--第4章.pptx

.1第4章51系列单片机的功能模块及其应用4.1并行I/O口及其应用4.2定时器及其应用4.3串行接口UART4.5节电方式4.689C52FLASH程序存储器4.7其他功能模块简介

.21.P0口的位结构P0口是一个三态双向口,可作为地址/数据分时复用口,也可作为通用I/O接口。其1位的结构原理如图2―7所示。P0口由8个这样的电路组成:锁存器起输出锁存作用,8个锁存器构成了特殊功能寄存器P0;场效应管（FET）V1、V2组成输出驱动器,以增大带负载能力;三态门1是引脚输入缓冲器;三态门2是用于读锁存器端口;与门3、反相器4及模拟转换开关构成输出控制电路。4.1片内并行I/O口及其应用4.1.1并行口的结构

.3图4-1(d)P0口1位结构原理图

.4＊地址/数据分时复用功能当P0口作为地址/数据分时复用总线时,可分为两种情况：一种是从P0口输出地址或数据,另一种是从P0口输入数据。在访问片外存储器需从P0输出地址或数据信号时,控制信号应为高电平1,使转换开关MUX把反向器4的输出端与V1接通,同时把与门3打开。＊通用I/O接口功能当P0口作为通用I/O接口使用,在CPU向端口输出数据时,对应的控制信号为0,转换开关把输出级与锁存器端接通,同时因与门3输出为0使V2截止,此时,输出级是漏极开路电路。当P0口作为通用I/O接口时,要注意两点:第一,在输出数据时,由于V2截止,输出级是漏极开路电路,要使“1”信号正常输出,必须外接上拉电阻。第二,P0口作为通用I/O使用时是一准双向口。

.52.P1口的位结构P1口为准双向口,其1位的内部结构如图2―8所示。它在结构上与P0口的区别在于输出驱动部分,其输出驱动部分由场效应管V1与内部上拉电阻组成。当其某位输出高电平时,可以提供拉电流负载,不必象P0口那样需要外接电阻。从功能上来看P1只有一种功能（对MCS—51子系列）,即通用输入输出I/O接口,具有输入、输出、端口操作3种工作方式,每1位口线能独立地用作输入或输出线。

.6图4-1(a)P1口的结构原理图

.7P2口的位结构P2口也是一准双向口,其1位的内部结构如图2―9所示。它具有通用I/O接口或高8位地址总线输出两种功能,所以其输出驱动结构比P1口输出驱动结构多了一个输出模拟转换开关MUX和反相器3。当作为准双向通用I/O接口使用时,控制信号使转换开关接向左侧,锁存器Q端经反相器3接V1,其工作原理与P1相同,也具有输入、输出、端口操作三种工作方式,负载能力也与P1口相同。

.8图4-1(c)P2口的结构原理图

.94.P3口的位结构P3口的1位结构如图2―10所示。它的输出驱动由与非门3、V1组成,比P0、P1、P2口结构多了一个缓冲器4。P3口除了可作为通用准双向I/O接口外,每1根线还具有第2功能。当P3口作为通用I/O接口时,第2功能输出线为高电平,使与非门3的输出取决于口锁存器的状态。在这种情况下,P3口仍是1个准双向口,它的工作方式、负载能力均与P1、P2口相同。当P3口作为第2功能（各引脚功能见表2―3）使用时,其锁存器Q端必须为高电平,否则V1管导通,引脚被箝位在低电平,无法输入或输出第2功能信号。当Q端为高电平时,P3口的口线状态就取决于第2功能输出线的状态。

.10图4-1(b)P3口的结构原理图

.11表2.5P3口的第二功能

.124.1.2并行口的应用＊应用系统扩展时，P0口、P2口和P3口的一部分作总线端口使用，不能再用于I/O。＊I/O方式时，注意输入口读锁存器和读引脚的差别。外部输入（读引脚）时，先用指令将锁存器置“1”。＊51单片机可操作并行I/O口并实现输入、输出的指令：*字节输入指令：*字节输出指令：MOVA，PXMOVPX，AMOV