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磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术

前言

透亮导电氧化物薄膜(TCO薄膜)有着广泛的用途，如作为LCD、OLED显示器面板的电极，作为触摸屏的感应电极，作为薄膜太阳能电池的电极以及作为LED芯片前电极等[1]。

目前，主要的TCO薄膜有氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌铝(AZO)三种[2]，其中SnO2薄膜是最早应用的TCO薄膜，但由于其光电特性相对较差，目前主要应用在一些较低端的使用领域。ITO薄膜是目前光电特性最好，使用范围最广的TCO薄膜，但其同时存在使用稀有元素In，生产本钱较高、In元素有毒、在氢等离子工艺气氛中性能退化等缺点。近年来，本钱低、性能优良、无毒害的ZnO:Al(AZO)薄膜[3]得到了广泛的关注与争论，有期望替代ITO薄膜。

因此，ITO与AZO材料是当前争论和生产的最主要的TCO材料。

目前，产业界制备ITO、AZO薄膜主要是承受磁控溅射镀膜技术[4][5]。磁控溅射技术基于等离子技术，通常是在存在高电势差的靶(阴极)与阳极之间注入气体(一般为Ar气)，通过等离子辉光放电实现对气体原子的离化，电场与磁场对离子加速和变向，进而轰击靶材外表，导致靶材原子被轰击到空间中，溅射在一块衬底材料上聚拢形成薄膜[6]。

对于磁控溅射装置，磁控溅射电源打算了磁控溅射工艺过程等离子体状态，对镀膜工艺和膜