磁场的测定(霍尔效应法).docx

霍尔效应及其应用试验

(FB510A型霍尔效应组合试验)仪

〔亥姆霍兹线圈、螺线管线圈〕

试验讲义

长春禹衡时代光电科技

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试验一 霍尔效应及其应用

置于磁场中的载流体，假设电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学争论生霍尔于1879年觉察的，后被称为霍尔效应。如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动掌握和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和掌握的今日，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广泛的应用前景。把握这一富有有用性的试验，对日后的工作将有好处。

【试验目的】

了解霍尔效应试验原理以及有关霍尔器件对材料要求的学问。

学习用“对称测量法”消退副效应的影响，测量试样的V ~I

H S

和V ~I

H M

曲线。

确定试样的导电类型。

【试验原理】

霍尔效应：

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子〔电子或空穴〕被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产

生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场E

H

。如图1所示的半导体

试样，假设在X方向通以电流I

S

，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A?A? 电极两

侧就开头聚拢异号电荷而产生相