7-PN结瞬态特性分析.pptVIP

Prof.GaobinXuPhysicsofSemiconductorDevicesPN结二极管频率特性与开关特性第二章PN结Lecture7：§2.8-2.91.PN结二极管的频率特性2.PN结二极管的开关特性(1)电荷存储效应(2)反向瞬变(3)提高PN结开关速度的途径PN结二极管及晶体管在电路工作中，通过器件上的电流信号和加在器件上的电压信号是多种多样的。其中主要的是随时间以一定周期变化的连续波、脉冲和数字信号。器件处理连续波时所表现出来的性能称为器件的频率特性。处理数字信号和脉冲信号时，器件在两个稳定状态之间往复跃变，跃变过程表现的特性称为开关特性，也叫瞬变特性。大信号工作是指通过器件的信号电流以及加在器件上的电压摆动幅度很大。开关工作时，电流、电压摆动幅度很大，因而是大信号工作。连续波既可以是小信号工作也可以是大信号工作，如模拟电路经常工作于小信号；连续波大信号工作有各类功率放大电路，如功率放大器、功率整流器中的晶体管等。大信号工作特点：I-V、C-V特性都是非线性的。小信号工作特点：信号电流与信号电压之间满足线性关系，其物理意义是：内部载流子分布的变化跟得上信号的变化。信号分为大信号与小信号:PN结小信号工作时，表示为直流成分与交流成分的叠加：N型中性区空穴分布为：一、PN结二极管的频率特性上式满足连续性方程：可得到交流空穴浓度的微分方程：上式满足的N侧边界条件（x=xn）是：由于：（1）可推导出：对于长二极管即WnLp时在x=xn处，空穴电流为：N型中性区空穴的交流分量为：同理，注入到P区的电子交流分量为：通过PN结总的交流电流为：则有：二极管的交流导纳定义为：对于P+N二极管，有：gD:直流电导扩散电容：扩散电容：正偏压PN结注入并存留在扩散区的少数载流子电荷（存储电荷）随偏压变化所引起的电容。求解PN结的扩散电容？rs是串联电阻，是由中型区和接触上的电压降引起的，CT是势垒电容，CD是扩散电容。直流电导串联电阻二极管等效电路二、PN结二极管的开关特性理想二极管的电流应从If瞬间变到反向漏电流I0Vf-Vrvdid-VrvdtsIf-Iridvd也不是立即改变为-Vr当外加电压突然从正变为负时，二极管的电流先从正向的If变到一个很大的反向电流Ir，它近似为Vr/R。这个电流维持一段时间ts后，开始减小，再经过一段时间后tf，减小到Ir的1/10，然后才逐渐趋向饱和电流I0。ts以P＋N为例，当从正向偏压在某一时刻突为负偏压时，在正向偏压时积累在N区的大量空穴就要被反向电场拉回到P＋区。所以在开始的瞬间，反向电流很大，经过一段时间后，这些积累的空穴一部分在N区被复合掉，一部分已流到了P＋区。这时反向电流恢复到正常的反向饱和漏电流。这种正向导通时少数载流子积累的现象，叫“电荷的贮存效应”，二极管的反向恢复过程就是由于电荷的贮存所引起的。1、PN结的电荷贮存效应非平衡载流子迅速减少施加一恒定的正向偏压时，存在电荷贮存效应，当正偏压转换至反偏压时，在稳态条件下所保持着的载流子并不能立刻消除。t=0t=t1t=tst=∞pn0x=xnxpn（1）从t=0至tts，在PN结界面x=xn处注入的载流子浓度不断下降，注入载流子浓度的梯度dpn/dx|x=xn则沿x轴的负方向。由于失去正向偏压的支持，在面x=xn上注入的非平衡载流子迅速减少，载流子将向相反的方向即向PN结的空间电荷区流动，进入空间电荷区的空穴被空间电荷区电场迅速漂移进入P区。此外，发现在t0到tts阶段，注入的非平衡少子的浓度梯度不变，因此反向扩散电流-Ir为常量。2、反向瞬变（2）在t0到tts阶段，由于面x=xn上pn(xn)仍然大于pn0，因此PN结两端的电压：vd0[pn(xn)=Pn0evd/VT]，当在这段时间内，由于pn(xn)在减小，因此vd也在减小，当t=ts时，可以认为：pn(xn)=pn0(注入的载流子完全去除)，于是结电压为零。-Vrvdvd0（3）在tts之后，pn(x)pn0，因而vd0，dpn/dx|x=xn也越来越小，因此Id也越来越小。（4）当t=∞，即达到稳定的反偏状态之后，由于反向偏压的PN结的抽取作用，在x=xn面上pn(xn)=0，pn(x)达到反向偏压PN结的稳定状态时的分布状况，此时vd=–Vr，Id=–I0。tsIf-Irid-Vrvd对于P+N二极管N侧的总贮存电荷定义为（取