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集成电路制造技术-原理与技术试题库

填空题（30分=1分*30）(只是答案)

半导体级硅、GSG、电子级硅。CZ法、区熔法、硅锭、wafer、硅、锗、单晶生长、整

型、切片、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。100、110和111。融化了的半导体级硅

液体、有正确晶向的、被掺杂成p型或n型、实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的

硅锭直径并且限制杂质引入到硅中、拉伸速率、晶体旋转速率。去掉两端、径向研磨、硅片定位边

和定位槽。制备工业硅、生长硅单晶、提纯）。卧式炉、立式炉、快速热处理炉。干氧氧化、湿氧

氧化、水汽氧化。工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统。局部氧化LOCOS、

浅槽隔离STI。掺杂阻挡、表面钝化、场氧化层和金属层间介质。热生长、淀积、薄膜。石英工艺

腔、加热器、石英舟。APCVD常压化学气相淀积、LPCVD低压化学气相淀积、PECVD等离子体增强化学

气相淀积。晶核形成、聚焦成束、汇聚成膜。同质外延、异质外延。膜应力、电短路、诱生电荷。导

电率、高黏附性、淀积、平坦化、可靠性、抗腐蚀性、应力等。CMP设备、电机电流终点检测、光学

终点检测。平滑、部分平坦化、局部平坦化、全局平坦化。磨料、压力。使硅片表面和石英掩膜版对

准并聚焦，包括图形）；（通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在单位

时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。化学作用、物理作用、化学作用与物理作用混合。

介质、金属。在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。被刻蚀图形的侧壁形状、各向同性、各向异性。

气相、液相、固相扩散。间隙式扩散机制、替代式扩散机制、激活杂质后。一种物质在另一种物质中

的运动、一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度）和（系统内必须有足够的能量使高浓度的材料

进入或通过另一种材料。热扩散、离子注入。预淀积、推进、激活。时间、温度。扩散区、光刻区、

刻蚀区、注入区、薄膜区、抛光区。硅片制造备）、（硅片制造）、硅片测试和拣选、（装配和封装、

终测。微芯片。第一层层间介质氧化物淀积、氧化物磨抛、第十层掩模、第一层层间介质刻蚀。钛淀

积阻挡层、氮化钛淀积、钨淀积、磨抛钨。

1．常用的半导体材料为何选择硅？（6分）

（1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提纯到半导

体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本；

（2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅1412℃锗937℃

（3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件可以用于比锗更宽的温度范围，增加了半导体的应用范围

和可靠性；

（4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以

保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲；

2．晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。（6分）

Wafer。

（1）单晶硅生长:晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称

为硅锭。可用CZ法或区熔法。

（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。

（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。

（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两

面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。

（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。

（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面

抛光。

（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。

（8）硅片评估。

（9）包装。

3．硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？（6

分）

（1）更大直径硅片有更大的表面积做芯片，能够减少硅片的浪费。

（2）每个硅片上有更多的芯片，每块芯片的加工和处理时间减少，导致设备生产效率变高。

（3）在硅片边缘的芯片减少了，转化为更高的生产成品率。

（4）在同一工艺过程