半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdfVIP

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温

度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

1范围

本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的快速偏置温度不稳定性（BTI）

测试的试验方法。

本文件还定义了与常规BTI测试方法有关的术语。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

标准电源电压nominalpowersupplyvoltage

VDD

工艺指定的合适的工作电压。

漏极-源极电压drain-sourcevoltage

VDS

漏极和源极之间的电压。

极栅-源极电压gate-sourcevoltage

VGS

栅极和源极之间的电压。

阱极-源极电压well-sourcevoltage

VBS

衬底和源极之间的电压。

漏极电流draincurrent

1

ID

V