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芯片制造期末复习资料
第一章
(1)谁发明了集成电路?德国青年工程师JackKilby(1959)
(2)分立器件:每个芯片中只含有一个元件的器件。分类:晶体管,二极管,电容器,电
阻器等
(3)集成电路:采用一定工艺,把一个电路中所需的晶体管,二极管,电阻,电容,电感
等元件及布线连在一起的基片。分类①功能结构:模拟集成电路数字集成电路数/模集成
电路。②按集成程度高低:小规模,中,大,超大,甚大。③导电性:双极型,单极型。
(4)特征尺寸:特征尺寸即芯片表面电路和特征线宽。特征尺寸越小,单位面积内的晶体
管集成程度就越高,速度越快,性能越好,是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
第二章
(1)半导体:常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
导体:容易导电的物体,即能够让电流通过的材料。
绝缘体:表现出核子对轨道电子的强大束缚,即对电子移动有很大阻碍的材料。
(2)常用半导体材料:锗,硅,硒。
(3)制造半导体过程中常用的化学品:酸,碱,溶剂,水
第三章
(1)晶体:原子在整个材料里重复排列成非常固定结构的材料。
非晶体:原子没有固定和周期性排列的材料。
(2)晶体生长的三种方法:直拉法,液体掩盖直拉法,区熔法。
第四章
(1)晶圆生产工艺
①薄膜工艺:是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。薄膜可以是绝缘体,半导体,导体。这
些工艺技术是生长二氧化硅膜和沉淀不同材料薄膜。通用的沉淀技术:物理气相沉积(PVD),
化学气相沉积(CVD),蒸发和溅射。
②图形化工艺:通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺,又可称为光
掩膜,掩膜,光刻或微光刻。是4个基本工艺中最关键的。
③掺杂:将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺过程。两种方法:热扩散和离
子注入
④热处理:简单地将晶圆加热和冷却来达到特定结果的过程。
第五章
(1)洁净室的构成:①空调净化系统:空调机组空气过滤器系统②天花板系统③隔墙④
地板:PVC地板,高架地板,防静电地板⑤照明系统。
(2)为什么要控制污染?
污染会改变器件的尺寸,改变表面洁净度,并且/或者造成有凹痕的表面。
(3)水中存在的污染物:溶解的矿物质,颗粒,细菌,有机物,溶解氧,二氧化硅。
(4)常见的芯片烘干技术:①旋转淋洗甩干法:晶圆围绕着喷水中心管柱旋转,然后当热
氮气从中心管柱喷出时,SRD转换高速旋转,旋转把水从芯片表面甩掉。热氮气去除紧附
于芯片表面的小水珠②异丙醇蒸汽蒸干法:当表面带水的芯片悬置于充满蒸汽的液体IPA
贮液罐时,IPA将芯片表面的水取代,IPA蒸汽区周围冷却管使IPA蒸汽中水蒸气凝结,从
而去除了水。③表面张力烘干:当芯片从水中被慢慢拿出水面时,水的表面张力产生一种
特殊条件,张力吸走表面的水,使芯片变干。
第六章
(1)指出三个工艺良品率的主要测量点:
①晶圆的制造:良品率=晶圆产出数/晶圆投入数
②晶圆中测:良品率=合格芯片数/晶圆上的芯片数
③晶圆封装:良品率=终测合格的封装芯片数/投入封装的合格芯片数
(2)晶圆电测良品率的要素
晶圆直径:生产更大直径的晶圆会使晶圆上完整芯片数呈现更快增长,而且对晶圆电
测良品率有积极的影响。
芯片尺寸:增加芯片尺寸而不增加晶圆直径会导致晶圆上完整芯片比例缩小,当芯片
尺寸增加时需要增大晶圆直径以维持晶圆电测良品率。
芯片密度:增加芯片尺寸增加芯片密度,电路集成度有升高趋势,这种趋势使任何定
缺陷在电路性区域的可能性增加,晶圆电测良品率降低。
边缘芯片数:边缘芯片数量过多,会使晶圆表面很大一部分被不完整芯片覆盖,这些
芯片不能工作,降低了电测良品率降低。
制作缺陷密度:制作芯片缺陷密度过大,会降低电测良品率。
(3)整体工艺良品率:(晶圆产出/晶圆投入)*(合格芯片/晶圆上的芯片)
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