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《实际晶体中的位错》;由简单立方，深化到面心立方、体心立方和密排六方晶体中的位错。
;
基本概念
1.位错的类型
简单立方：b≡点阵矢量—只有全位错
;2.堆垛层错stackingfault;堆垛层错;层错stackingfault;最紧密堆积方式：1，3，5或2，4，6位;六方紧密堆积前视图;;全位错和不全位错;;肖克莱半位错;;;弗兰克半位错;W.B.Shockley(1910~1989)
美国物理学家
贝尔电话实验室
1956年诺贝尔物理学奖;;
位错反应条件：
（1）几何条件：
反应前的柏氏矢量之和等于
反应后的柏氏矢量之和。
（2）能量条件：
反应后的位错总能量小于
反应前的位错总能量。
;2.扩展位错：一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带构成的位错。;如：;位错的束集;;3.面角位错;2)特征：
固定；
纯刃型；
柏氏矢量不在fcc的滑移面{111}上；
形成于两个{111}面之间的面角上；
位错组合。
;4.扩展位错的观察;TiAl金属间化合物;层错能与晶粒细化;位错理论的应用
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