《实际晶体中的位错》课件.pptxVIP

《实际晶体中的位错》;由简单立方，深化到面心立方、体心立方和密排六方晶体中的位错。

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基本概念

1.位错的类型

简单立方：b≡点阵矢量—只有全位错

;2.堆垛层错stackingfault;堆垛层错;层错stackingfault;最紧密堆积方式：1，3，5或2，4，6位;六方紧密堆积前视图;;全位错和不全位错;;肖克莱半位错;;;弗兰克半位错;W.B.Shockley(1910~1989)

美国物理学家

贝尔电话实验室

1956年诺贝尔物理学奖;;

位错反应条件：

（1）几何条件：

反应前的柏氏矢量之和等于

反应后的柏氏矢量之和。

（2）能量条件：

反应后的位错总能量小于

反应前的位错总能量。

;2.扩展位错：一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带构成的位错。;如：;位错的束集;;3.面角位错;2)特征：

固定；

纯刃型；

柏氏矢量不在fcc的滑移面{111}上；

形成于两个{111}面之间的面角上；

位错组合。

;4.扩展位错的观察;TiAl金属间化合物;层错能与晶粒细化;位错理论的应用