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2.2光电阴极
2.2.1光电发射的基本理论
光电发射的基本理论
光电子发射的基本理论
像管中实现辐射图像的光电转换环节的是光电阴极。在光电阴极上产
生的外光电效应往往使用下面的三阶段理论来解释。
即，整个光电发射的物理过程分为三步：
①光电发射体内的电子被入射光子激发到高能态；
②受激电子向表面运动，在迁移的过程中因碰撞而损失部分能量；
③到达表面的受激电子克服表面电子亲和势而逸出。
光电子发射的基本理论
第1阶段：电子受激跃迁情况分析
◆初态能级是多种多样的(光电子能量的分散)!
◆来自价带上的电子；
◆来自杂质能级上的电子以及自由电子。
其中，有些受激电子的激发态可能处于真空能级之下，--
这些电子称为导带中的非平衡电子，只对光电导有贡献。
❖光子辐射、光电子发射均为具有泊松分布的随机过程；－光电发
射所产生的光电子统计特性是吻合双随机泊松分布。
光电子发射的基本理论
第2阶段：电子向表面迁移情况分析
◼受激电子向真空界面迁移的几率随光吸收因子及有效逸出深度的
增加而提高。
对于半导体材料，其光吸收系数取决于其能带结构。
通常，当入射光子的能量大于禁带宽度时，其本征吸收系数很高，
因此有效的光吸收深度约为10-6~10-5cm。
所以，通常情况下大部分受激电子产生在10~100nm距离内。这
个距离称之为半导体逸出深度。
◼在迁移过程中，受激电子会受到半导体内晶格、电子、各种缺陷
的散射而损失部分能量！
光电子发射的基本理论
第3阶段：电子逸出表面过程的分析
◼到达表面的电子能量必须大于半导体材料的光
电逸出功Φ（不同于热电子发射逸出功Φ）：
0
◼T=0K时，电子占据的最高能级是价带顶，
它的光电逸出功是指从价带顶把电子激发到
导带并使之逸出表面的最低能量，也就是价
带顶到真空能级之间的能量差。其数值等于E+E
0gA
禁带宽度E与电子亲和势E之和。
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光电子发射的基本理论
第3阶段：电子逸出表面过程的分析
◼到达表面的电子能量必须大于半导体材料的光
电逸出功Φ（不同于热电子发射逸出功Φ）：
0
◼T=0K时，电子占据的最高能级是价带顶，
它的光电逸出功是指从价带顶把电子激发到
导带并使之逸出表面的最低能量，也就是价
带顶到真空能级之间的能量差。其数值等于E+E
0gA
禁带宽度E与电子亲和势E之和。
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hc
◼红限：由光电逸出功定义，可以确定本征半导0
E+E
gA
体在绝对零度时的长波阈（红限）为λ。
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