《集成电路+cmos图像传感器测试方法gbt+43063-2023》详细解读.pptx

《集成电路cmos图像传感器测试方法gb/t43063-2023》详细解读;;;;;;;;适用于手机、相机等消费电子产品的图像传感器测试。;;;GB/TXXXX.X-XXXX（示例）;;;;定义说明;;反映传感器在不同波长光照下的响应能力。;4.2噪声参数;线性动态范围;帧率;;;应选用符合标准规定的测试设备，包括信号发生器、示波器、电源等，以确保测试结果的可靠性。;;测试人员应具备相应的专业知识和技能，熟悉测试方法和操作流程。;;环境条件;设备与仪器;测试程序;;5.2.1测试系统组成;稳定性;光照条件;;;相对湿度;;;;静电放电可能导致集成电路损坏或性能下降，因此对CMOS图像传感器的静电防护至关重要。;;;;;通过测试CMOS图像传感器对不同波长光线的响应，确定其光谱响应范围及灵敏度。;通过显微观测等方法，测试传感器像素的实际尺寸，以验证其设计规格。;;;;;转换增益的影响因素及优化;;;暗信号定义;SD（暗信号标准差）的意义;;测试结果分析;;;;;改善与优化建议;;;读出噪声测试方法;读出噪声影响因素及优化措施;;定义;;;标准规定与实际应用;;满阱电荷数的定义;;满阱电荷数越大，传感器能容纳的电荷量越多，动态范围越宽，能够同时记录更亮和更暗的场景细节。;;;;;影响因素：动态范围受传感器设计、制造工艺、像素大小、量子效率等多个因素影响。;;;信噪比（Signal-to-NoiseRatio,SNR）是评价图像传感器性能的关键指标，表示信号与噪声之间的比例关系。;测试方法与原理;影响因素;《集成电路cmos图像传感器测试方法gb/t43063-2023》对信噪比测试方法、条件及数据处理等方面进行了详细规定。;;定义;测试方法;;国家标准GB/T43063-2023详细规定了光响应非均匀性的测试方法、条件及评估准则。;;灵敏度的定义;;;;;;指像素单元在黑暗环境下仍然产生亮输出的现象。;通过特定的光学设备和测试图案，对图像传感器进行成像测试，以检测缺陷像元。;;;;NRE（Non-RollingShutterEffect）测试

通过特定的测试图案和光照条件，观察图像传感器在不同曝光时间下的电荷滞留情况。

测试原理

利用不同曝光时间下电荷滞留量的变化，评估图像传感器的电荷转移效率和抗电荷滞留能力。;;优化像素结构;;;;;;;;测试应在特定的光照条件下进行???以确保测量结果的准确性和可重复性。;动态范围;;;;测试原理;;测试步骤与注意事项;注意事项;结果分析与评价;;定义与意义;选择合适的测试光源，确保光源覆盖CMOS图像传感器的感光范围，并调整光源的光谱分布。;;;;测试方法与原理;影响因素;CMOS图像传感器的光谱响应范围广泛，适用于多种应用场景，如可见光成像、红外成像、紫外成像等。不同应用场景对光谱响应范围的要求也各不相同。;;反映光学系统能力;测试原理;在数字信号处理中，奈奎斯特频率是指采样频率的一半，它决定了能够准确还原的信号最高频率。在CMOS图像传感器中，奈奎斯特频率与像素的排列和采样方式密切相关。;;;;;;;;;准备测试环境;;THANKS