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半导体物理期末试卷
(含局部答案
-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-CompanyOne1
3
一、填空题
纯洁半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。
当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做集中运动；在半导体存在外加电压状况
下，载流子将做漂移运动。
inopo=n2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量转变时，乘积nopo不变；当温度变化时，nopo转变否？转变。
i
转变否？
非平衡载流子通过复合作用 而消逝， 非平衡载流子的平均生存时
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