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IGBT开通的四个过程

??\oIGBTIGBT的开通过程按时间可以分为四个过程,如下:

??第一,门射电压Vge小于阀值电压Vth时。其门极电阻RG和门射电容CGEI的时间常数决定这一过程。当器件的集电极电流IC和集射电压VCE均保持不变时，CGEI就是影响其导通延迟时间tdon的唯一因素。

?第二,当门射电压Vge达到其阀值电压时，开通过程进入第二阶段，IGBT开始导通，其电流上升速率dI/dt的大小与门射电压Vge和器件的跨导gfs有如下关系：dIc/dt=gfs（Ic）＊dVge/dt

其中，dVge/dt由器件的门极电阻Rg和门射电容CGEI所决定（对于高压型IGBT来说，门集电容Cgc可忽略不计）。

第三,第三阶段从集电极电流达到最大值ICmax（FWD的逆向峰值电流IRM加上负载电流IL）时开始，克服反向电压VR使二极管截止，此时IGBT的集射电压Vce开始下降，随着Vce的下降，电压可控的门集之间的场电容容抗Cgc成近百倍增大。当门射驱动电压保持恒定时，所有的门极电流都被投入到对增长的Cgc的放电上。因此，本阶段的导通受门极电阻和场电容的时间常数所影响。该时间常数决定器件的电压变化速率dVce/dt并对器件的导通损耗造成很大的影响。

第四,开通之后，器件进入稳定的导通状态。

??对dIc/dt和dVce/dt的控制场电