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第0章 半导体概述

电阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数→半导体第1章 半导体中的电子状态

共价键:由同种晶体组成的元素半导体,其原子间无负电性差,它们通过共用一对自旋相反而配对的价电子结合在一起。

共价键的特点：1、饱和性 2、方向性

共有化运动：电子由一个原子转移到相邻的原子去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。孤立原子中的电子状态：

主量子数n:1,2,3,……

角量子数l：0，1，2，…（n－1）磁量子数ml：0，±1，±2，…±l自旋量子数ms：±1/2

波函数：描述微观粒子的状态

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布里渊区的特征：

每隔1/a的k表示的是同一个电子态；

波矢k只能取一系列分立的值，每个k占有的线度为1/L；

本征激发：当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程

物质的能带可分为价带、禁带和导带三部分，导带和价带之间的空隙称为能隙。由于能带结构不同，在导电特性上就有了导体、绝缘体、半导体。

导体:通常指电阻率10?4??cm的物质。金属和合金一般都是导体，如铝、金、钨、铜、镍铬等。能带能隙很小或为0,在室温下电子很容易获得能量而跃迁至导带而导电。

绝缘体:通常电阻率109 ??cm 物质。如SiO2、SiON、SiN

3 4

9V，电子很难跳跃至导带，所以无法导电。

等。能带能隙很大，可达到

半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间，能隙一般约为1－3V，只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距就能导电。如硅为1.12eV，锗为0.67eV，砷化镓为1.43eV，所以它们都是半导体。

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空穴：将价带电子的导电作用等效为带正电荷的准粒子的导电作用。禁带宽度Eg随温度增加而减小。

多能谷结构：锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近。

间接带隙半导体：硅和锗的导带底和价带顶在k空间处于不同的k值。

第2章 半导体中的杂质和缺陷能级根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为：

浅能级杂质→能级接近导带底Ec或价带顶Ev；深能级杂质→能级远离导带底Ec或价带顶Ev。

施主杂质：束缚在杂质能级上的电子被激发到导带Ec成为导带电子，该杂质电离后成为正电中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。 施主电离能：?E ?E -E

D C D

受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴被激发到价带Ev成为价带空穴，该杂质电离后成为负电中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。 受主电离能：△EA=EA-EV

掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。

杂质的补偿作用:杂质的补偿,既掺有施主又掺有受主：补偿半导体

(1)N ?N 时n型半导体 (2)N ?N 时p型半导体 (3)N ?N 时杂质的高度补偿

D A A D A D

深能级杂质特点：多为替位式杂质

?硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。

?深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。

束缚激子：即等电子陷阱俘获一种符号的载流子后，又因带电中心的库仑作用又俘获另一种带电符号的载流子，这就是束缚激子。

两性杂质：在化合物半导体中，某种杂在其中既可以作施主又可以作受主，这种杂质称为两性杂质。

缺陷能级:1、点缺陷 2、位错能级（主要指线缺陷）

点缺陷：空位 自间隙原子 反结构缺陷 各种复合体 位错

第4章半导体的导电性

外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿着电场的反方向作定向运动形成电流。即漂移运动.

载流子散射：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射。

平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其比值称为电子迁移率。

迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度

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