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电子技术期末考试题及答案
【篇一：电力电子技术期末考试试题及答案】
第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.
在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当
器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子
器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三
部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电
路__。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子
器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电
压截止_。6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极
管_、_肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二
极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门
极有触发则导通、反向电压则截止__。9.对同一晶闸管，维持电流
ih与擎住电流il在数值大小上有il__大于__ih。10.晶闸管断态不
重复电压udsm与转折电压ubo数值大小上应为，udsm_大于
__ubo。11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）
在同一管芯上的功率集成器件。12.gto的__多元集成__结构是为了
便于实现门极控制关断而设计的。13.mosfet的漏极伏安特性中的
三个区域与gtr共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，
其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的
__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。14.电力
mosfet的通态电阻具有__正__温度系数。15.igbt的开启电压uge
（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力mosfet。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可
将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。17.igbt的
通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在
1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。18.在如下器件：
电力二极管（powerdiode）、晶闸管（scr）、门极可关断晶闸管
（gto）、电力晶体管（gtr）、电力场效应管（电力mosfet）、绝
缘栅双极型晶体管（igbt）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，
属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_gto、gtr、
电力mosfet、igbt_；属于单极型电力电子器件的有_电力mosfet
_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、gto、gtr_，属于
复合型电力电子器件得有__igbt_；在可控的器件中，容量最大的
是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力mosfet，属于电压驱动的是
电力mosfet、igbt_，属于电流驱动的是_晶闸管、gto、gtr_。
2
2（设u2为相电压有效值）。
2
2_
2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的
电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗
器_。
o5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向
电压ufm
续的条件为__??30o(u2为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依
次互差_
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