电力电子技术知识点汇总.pdfVIP

1.以电力为处理对象的电子技术称为电力电子技术。它是一门利用电力电子器件对电能进

行控制和转换的学科。

2.电力交换分为：交直变换（AC-DC整流）直交变换（DC-AC逆变）交交变换（AC-AC交

交变换）直直变换（DC-DC斩波）

3.1957年美国的通用电气公司研制出第一个晶闸管。

4.电源：直流电源，恒压恒频交流电源，变压变频电源。

5.电源涉及不间断电源、电解电源、电镀电源、开关电源（SMPS）、计算机及仪器仪表电。

6.高压直流输电（HVDC）晶闸管控制电抗器（TCR）晶闸管投切电容器（SVC）有源电力滤

波（APF）

7.为了减小本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般工作在开关状态。

8.低频时通态损耗电力电子器件功率损耗的主要成因;器件开关频率较高，开关损耗随增大

而成为器件功率损耗主要因素。

9.电力二极管:螺栓型和平板型两种封装。

10.当施加的反向电压过大时，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作

状态，这就是反向击穿。反向电流未被限制住,使得反向电流和反向电压的乘积超过了PN

结所容许的耗散功率，就会因热量散发不出去而导致PN结温度上升，直至过热而烧毁，这

就是热击穿。PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现一定的电容效应。

11.正向平均电流IF（Av）是指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温皮平均值取标散

热条件下，其允许流过的最大工频正弦平波电流的平均值。肖特基二极管是单极器件

12.为保证可靠，安全触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率都限制在可靠触发区。

13.实际中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使其充分恢复对正向电压的阻断能力，

才能使晶闸管可靠关断。

14.GTR一般采用共发射极接法。为了保证安全，最高工作电压Ucem要比BUceo低的多。

15.当GTR的集电极电压升高至一次击穿电压临界值BUcEo时，集电极电流Ic会迅速增大，

出现雪崩击穿，称之为一次击穿，一次击穿也称为电压击穿。一次击穿发生后，只要集电极

电流Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的电流限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不

会发生变化。一次击穿发生后，如果不能有效地限制电流，就会发生二次击穿。二次击穿是

指当GTR的集电极电流Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降，

二次击穿也称为电流击穿。

16.电力MOSFET主要是N沟道增强型，它具有优良的开关特征。大都采用垂直导电结构。

17.IGBT的擎住效应（简答）一旦J3结开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，导致

集电极电流增大，造成器件由于功耗过高而损坏。这种电流失控的现象，被称为擎住效应或

自锁效应,引发警住效应的原因可能是集电极电流过大(静态繁住效应)，也可能是ducE/dt过

大(动态擎住效应)，温度升高也会加重发生擎住效应的危险。动态擎住效应比静态擎住效

应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而

确定的。防止措施：（1）设定IGBT的正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区中，FBSOA

由最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定;RBSOA由最大集电极电流、

最大集射极间电压和最大允许电压上升率duce/dt确定。(2)在使用IGBT，要使栅极电流不超

过最大允许电流IdM。(3)加大栅极电阻RG,以延长IGBT关断时间，减少重加duce/dt数值。

18.功率集成电路：将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子

电路制作在同一个芯片上。

19.功率模块：简化对保护和缓冲电路的要求。智能功率模块（IPM）：把不同功能的功

率单元与驱动单元及保护单元集成一个模块。

光隔离和磁隔离。光隔

离采用光耦合器；磁隔离的元器件一般都是脉冲变压器。

(1)晶闸管触发电路应满足下列要求。（简答）（1）触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠

导通。对感性负载和反电势负载应采用宽脉冲或脉冲列，对变流器的启动、双星形带平衡电

抗器电路的触发脉冲宽度应大于30”，三相全控