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半导体制程用湿式化学品的进展趋势
微粒子的污染一般来自制程用中所使用的超纯水,气体及化学品,以及机台,晶舟甚至是制程线上的人员.藉由静电,凡得瓦尔力,毛细管现象或化学键而吸附於晶圆外表,或者陷入晶圆外表微小凹凸而生成的沟渠之中.金属不纯物主要来自於离子植入,乾式蚀刻及光阻灰化时,因离子撞击机台内壁所造成;另外制程环境及化学品与化学品容器本身,也是可能的污染来源之一.有机污染物则多来自光阻的残留物,另外墙壁的油漆,帮浦的机油,塑胶容器以及作业员的身体及衣物也都是可能的来源.自然生成氧化层肇因於晶圆外表暴露於空气或水中的溶氧,而氧将晶圆外表的矽氢键(Si-H)氧化成为羟基(Si-OH),或
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