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一、填充题
两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带 电到达热平衡后两者的费米能级 。
半导体硅的价带极大值位于k空间第一布里渊区的中心，其导带微小值位于方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于 半导体。
晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 ；线缺陷，如 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。
间隙原子和空位成对消灭的点缺陷称为 ；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 。
杂质可显著转变载流子浓度； 杂质可显著转变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 ，又能取代砷而表现为 ，这种性质称为杂质的双性行为。
对于ZnO半导体，在真空中进
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