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数字电子技术基础
主讲人:侯建军教授
北京交通大学电子信息工程学院
第七节随机存取存储器RAM
一、RAM的基本结构
二、存储单元
第七节随机存取存储器RAM
在计算机及数据处理系统中用随机存取存储器RAM存放大量数据、中间结
果、表格等。
RAM可分为单极型和双极型:双极型工作速率高,但是集成度不如单极型的
高。目前,由于工艺水平的不断提高,单极型RAM的速率已经可以和双极型
RAM相比,而且单极型RAM具有功耗低的优点。
这里只以单极型RAM为例进行分析。
单极型RAM又可分为静态RAM与动态RAM:
静态RAM是用MOS管触发器来存储代码,所用MOS管较多、集成度低、功
耗也较大。
动态RAM是用栅极分布电容保存信息,它的存储单元所需要的MOS管较少,
因此集成度高、功耗也小。
静态RAM使用方便,不需要刷新。
一、RAM的基本结构
存储矩阵
RAM的基本结构如下图所示:
地址译码器读写电路
数据输入
和输出信号
地址
读写控制信号
片选信号
一、RAM的基本结构
下图是二元寻址的M字×1位RAM结构图,存储矩阵是α×β位。地址译码器分
行译码器和列译码器,只有行及列共同选中的单元才能进行读、写。这种寻址的方
式所需要行线和列线的总数较少。例如要存储256字×1位的容量,采用一元寻址就
需要256条字线,若采用二元寻址只需α=16,β=16,共32条线也就可以了。
列地址全0
β
1
1
行α
地
址
全
0
R
W
二、存储单元
RAM中的存储单元可由双极型管组成,也可由MOS管组成。
MOS管可以工作于静态,也可以工作
于动态,而双极型管单元大多工作于静态。
T、T、T及T构成10
0123
RS锁存器。
(一)MOS静态单元
T及T是行选管,
45
T及T是列选管,
67
是一行中公用的
是一列公用的
1
当使能为低电平,写也为低电平时,
三态门2将输入数据D通过T、T作用
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