原创力文档- 1、本文档共9页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
大规模在线开放课程
MOOC
数字电子技术基础
主讲人：侯建军教授
北京交通大学电子信息工程学院
第二节可编程逻辑器件PLD的基本单元
一、熔丝型开关
二、反熔丝型开关
三、浮栅编程技术
四、六管静态存储器
三、浮栅编程技术
用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM，即已写入的内
容可以擦去，也可以重新写入新的内容。
（一）叠栅型（SIMOS）存储单元
GND5V5V开启电压UT1。
+++
三、浮栅编程技术
用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM，即已写入的内
容可以擦去，也可以重新写入新的内容。
（一）叠栅型（SIMOS）存储单元
GND25V25V
+++
+++
开启电压UT2
开启电压加大
三、浮栅编程技术
用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM，即已写入的内
容可以擦去，也可以重新写入新的内容。
（一）叠栅型（SIMOS）存储单元
1
---
1
×
有
1
三、浮栅编程技术
用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的ROM，即已写入的内
容可以擦去，也可以重新写入新的内容。
（一）叠栅型（SIMOS）存储单元
0
1
无
1
三、浮栅编程技术
问题：浮栅上的电荷无放电通路，没法泄漏。
用紫外线照射芯片上的玻璃窗，则形成光电电流，把浮栅电子带回到多晶硅
衬底，SIMOS管恢复到初始的导通状态。
叠栅型（SIMOS）存储单元小结
叠栅存储单元（SIMOS）管与普通的MOS管相似。
由多晶硅构成浮栅，外没引出线，浮在氧化层中，信息靠浮栅存储。
大规模在线开放课程
MOOC
谢谢
本课程所引用的一些素材为主讲老师多年的教学积累，
来源于多种媒体与同事、同行、朋友的交流，难以一一注明
出处，特此说明并表示感谢！
文档评论（0）