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半导体量子点发光

、半导体量子点的定义

当半导体的三维尺寸都小于或接近其相应物质体相材料激子的玻尔半径

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[L1块状〔三维〕和二錐、一维、零维纳米构造半导体材料的态密度示意图，二维是连续能级，而零维则变成分立能级.

〔约5.3nm〕时，称为半导体量子点。

二、半导体量子点的原理

在光照下，半导体中的电子吸取肯定能量的光子而被激发，处于激发态的电子向较低

能级跃迁，以光福射的形式释放出能量。大多数状况下，半导体的光学跃迁发生在带边，也就是说光学跃

迁通常发生在价带顶和导带底四周。半导体的能带构造可以用图的简化模

型来表示。如下图，直接带隙是指价带顶的能量位置和导带底的能量位置同处于一个 K

空间，间接带隙是指价带顶位置与导带底位置的跃迁，伴随着放射光子，这是半导体的发光现象。

K空间位置不同。电子从高能级向低能级

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对于半导体量子点，电子吸取光子而发生跃迁，电子越过禁带跃迁入空的导带，而在

原来的价带中留下一个空穴，形成电子空穴对(即激子)，由于量子点在三维度上对激子施加量子限制，激子只能在三维势垒限定的势盒中运动，这样在量子点中，激子的运动完全量子化了，只能取分立的束缚能态。激子通过不同的方式复合，从而导致发光现象。原理示意图，如下图，激子的复合途径主要有三种形式 。

电子和空穴直接复合，产生激子态发光。由于量子尺寸效应的作用 ，所产生的放射光的波长随着颗粒尺寸的减小而蓝移。

通过外表缺陷态间接复合发光。在纳米颗粒的外表存在着很多悬挂键

，从而形成了许

多外表缺陷态。当半导体量子点材料受光的激发后陷态而产生外表态发光。量子点的外表越完整

面态的发光就越弱。

，光生载流子以极快的速度受限于外表缺

，外表对载流子的捕获力量就越弱，从而使得表

通过杂质能级复合发光。杂质能级发光是由于外表分子与外界分子发生化学反响生成其它杂质，这些杂质很简洁俘获导带中的电子形成杂质能级发光。

以上三种状况的发光是相互竞争的。假设量子点的外表存在着很多缺陷 ，对电子和空穴

的俘获力量很强，电子和空穴一旦产生就被俘获，使得它们直接复合的几率很小，从而使得激子态的发光就很弱，甚至可以观看不到，而只有外表缺陷态的发光。

为了消退由于外表缺陷引起的缺陷态发光而得到激子态的发光的量子点或者通过对量子点的外表进展修饰来削减其外表缺陷

地直接复合发光。

，常常设法制备外表完整

，从而使电子和空穴能够有效

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图1.6 块体半导林材料〔左｝和半导体量子点〔航〕帕发光赫理示意圈.图中实线代表辆射

跳迁”虑线代表非辐财吠迁.

三、量子点修饰

对于量子点来说，它的稳定性有限、毒性高、存在外表缺陷等缺点使量子点在应用方面受到了很大的制约。所以科学家就想到了量子点修饰来解决这些问题。

量子点修饰中最主要的就是杂化 ,它可以与无机、有机、高分子和生物材料等进展杂

化。这些杂化材料中，核壳构造杂化材料，因其大小不同及组成和构造排列不同等而具有着特殊的性质如光、磁、化学等性质。

所谓核壳构造，就是由中心的核和包覆在外部的壳构成。核壳材料一般是圆形粒子也可以是其他

外形，包覆在粒子外边的壳材料可以转变并赐予粒子特别的电学、光学、力学等性质。因此，人们就量子点的外表修饰进展了大量争论 例如,设计生物相容性的外表配体使量

子点可与特异性生物识别分子抗原，抗体等等连接图巧。依据量子点外包覆物的组成类型不同，可以

分为无机物包覆和聚合物包覆两种

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