半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案..docx

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-半导体芯片制造工：半导体制造技术考试答案

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-考试时间：120分钟 考试总分：100分

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题号分数

题号

分数

一

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三

四

五

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号--： - 1、问答题

号

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学 - 热退火用于消退离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热集中的温度，然而，

_-杂质纵向分布仍会消灭高斯展宽与拖尾现象，解释其缘由。

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__-此题答案：

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__--2、问答题

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_ - 什么是集中效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布

：-__ - 有怎样的变化？

：

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级封 此题答案：

级

班-

班

-3、问答题

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_-_ - 说明SiO2的构造和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区分。

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__-此题答案：

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__-4、问答题

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__-从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中〔Back-End-Of-Line，

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：-BEOL〕承受铜〔Cu〕互连和低介电常数〔low-k〕材料的必要性。

：

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-名

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姓 - 此题答案：

-5、问答题

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密-

写出菲克第肯定律和其次定律的表达式，并解释其含义。

-此题答案：

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-6、问答题

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-说明影响氧化速率的因素。

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-此题答案：

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试卷第9页共9页

试卷第

试卷第9页共9页

7、问答题

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么状况下会支配整个淀积速率？

此题答案：8、问答题

假设进展一次受固溶度限制的预淀积集中，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

此题答案：9、问答题

什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。此题答案：

10、问答题

以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

此题答案：11、问答题

简述杂质在SiO2的存在形式及如何调整SiO2的物理性质。此题答案：

12、问答题

什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为

什么？

此题答案：13、问答题

简述BOE〔或BHF〕刻蚀SiO2的原理。此题答案：

14、问答题

简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能状况。此题答案：

1l20、问答题

简述几种典型真空泵的工作原理。此题答案：

21、问答题

影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？此题答案：

22、问答题

以下图是硅烷反响淀积多晶硅的过程，写动身生反响的方程式，并简述其中1～5各步的含义。

此题答案：23、问答题

简述硼和磷的退火特性。

此题答案：24、问答题

分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。此题答案：

25、问答题

在铜互连中，为什么要用铜集中阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用

？

此题答案：26、问答题

简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。此题答案：

27、问答题

MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最根本的区分是什么？此题答案：

28、问答题

射频放电与直流放电相比有何优点？此题答案：

29、问答题

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1

，外表反响速率系数ks=1×107exp〔-1.9eV/kT〕cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择〔1〕冷壁，石墨支座型；〔2〕热壁，堆放硅片型。应中选用哪

种类型的淀积系统并简述理由。此题答案：

30、问答题

浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。此题答案：

31、问答题

简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？此题答案：

32、问答题

承受无定形掩膜的状况下进展注入，假设掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度削减至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

此题答案：33、问答题

什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区分？此题答案：

34、问答题

对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的缘由。假设温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严峻，这说明晶圆片外表上的辐射分布是怎样的？

此题答案：35、问答题

依据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？此题答案：

36、问答题

什么是离子注入中常发生的沟道效应〔Channeling〕和临界角？怎样避开沟道效应？

此题答案：37、问答题

什么是光刻中常见的外表反射和驻波效应？如何解决？此题答案：

38、问答题

承受CF4作为气体源对SiO2进展刻蚀，在进气中分