半导体的生产基本工艺作业流程精.docx

半导体生产工艺步骤

微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为根底微细加工技术(silicon-basedmicromachining,原本就肇源于半导体组件制程技术,所以必需先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰窘态。

一、干净室

通常机械加工是不需要干净室(cleanroom,由于加工区分率在数十微米以上,远比日常环境微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工世界,空间单位全部是以微米计算,所以微尘颗粒沾附在制作半导体组件晶圆上,便有可能影响到其上周密导线布局样式,造成电性短路或断路严峻后果。

为此,全部半导体制程设备,全部必需安置在隔绝粉尘进入密闭空间中,这就是干净室来由。干净室干净等级,有一公认标准,以class10为例,意谓在单位立方英呎干净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上粉尘10粒。所以class后头数字越小,干净度越佳,固然其造价也越昂贵(参见图2-1。

为营造干净室环境,有专业建筑厂家,及其相关技术和使用治理措施以下:

1、内部要保持大于一大气压环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,

将经滤网空气源源不绝地打入干净室中。

2、为保持温度和湿度恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。

3、全部气流方向均由上往下为主,尽可能降低突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在干净室内盘旋停滞时机和时间减至最低程度。

4、全部建材均以不易产生静电吸附材质为主。

5、全部些人事物进出,全部必需经过空气吹浴(airshower程序,将外表粉尘先行去除。

6、人体及衣物毛屑是一项关键粉尘起源,为此务必严格要求进出访用人员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需和外界隔绝接触(在次微米制程技术工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。固然,化装是在禁绝之内,铅笔等也严禁使用。

7、除了空气外,水使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater。一则预防水中粉粒污染晶圆,二则预防水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS晶体管构造之带电载子信道(carrierchannel,影响半导体组件工作特征。去离子水以电阻

率(resistivity来定义好坏,通常要求至17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、和UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最好溶剂和清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人!

8、干净室全部用得到气源,包含吹干晶圆及机台空压所需要,全部得使用氮气(98%,吹干晶圆氮气甚至要求99.8%以上高纯氮!以上八点说明是最根底要求,另还有污水处理、废气排放环境保护问题,再再需要大笔大笔建筑和维护费用!

二、晶圆制作

硅晶圆(siliconwafer是一切集成电路芯片制作母材。既然说到晶体,明显是经过纯炼和结晶程序。现在晶体化制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky拉晶法(CZ法。拉晶时,将特定晶向(orientation晶种(seed,浸入过饱和纯硅熔汤(Melt中,并同时旋转拉出,硅原子便依据晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓晶棒(ingot。晶棒阻值假设太低,代表其中导电杂质(impuritydopant太多,还需经过FZ法(floating-zone再结晶(re-crystallization,将杂质逐出,提升纯度和阻值。

辅拉出晶棒,外缘像椰子树干般,外径不甚全都,需赐予机械加工修边,然后以X光绕射法,定出主切面(primaryflat所在,磨出该平面;再以内刃环锯,削下一片片硅晶圆。最终经过粗磨(lapping、化学蚀平(chemicaletching和拋光(polishing等程序,得出具外表粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度,和其外径相关。刚刚题及晶向,和硅晶体原子构造相关。硅晶体构造是所谓「钻石构造」(diamond-structure,系由两组面心构造(FCC,相距(1/4,1/4,1/4晶格常数(latticeconstant;即立方晶格边长叠合而成。我们依米勒指针法(Millerindex,可定义出诸如:{100}、

{111}、{110}等晶面。所以晶圆也因之有{100}、{111}、{110}等之分野。相关常见硅晶圆之切边方向等信息,请参考图2-2。现今半导体业所使用之硅晶圆,大多以

{100}硅晶圆为主。其可依导电杂质之种类,再分为p型(周期表III族和n型(周期

表V族。由于硅晶外貌完全一样,晶圆制造厂所以在制作过程中,加工了供辨识记号:亦即以是否有次要切面(secon