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半导体物理学试题及答案(总6页)

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半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、假设半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以(A)导电为主;假设半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以(E)导电为主;假设半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以(C)导电为主。 A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子 2、受主杂质电离后向半导体供给(B)，施主杂质电离后向半导体供给(C)，本征激发向半导体供给(A)。 A、电子和空穴B、空穴

C、电子 3、电子是带(B)电的(E);空穴是带(A)电的(D)粒子。 A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子 4、当Au掺入Si中时，它是(B)能级，在半导体中起的是(D)的作用;当B掺入Si中时，它是(C)能级，在半导体中起的是(A)的作用。 A、受主B、深

C、浅D、复合中心E、陷阱 5、MIS构造发生多子积存时，外表的导电类型与体材料的类型(A)。 A、一样B、不同C、无关 6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度上升时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是(B)。

A、变大，变小;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变

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大，变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B) A、靠近禁带中心B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为(D)，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为(A)。 A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于0 9、如下图的P型半导体MIS构造的C-V特性图中，AB段代表(A)，CD段代表(B)。 A、多子积存B、多子耗尽 C、少子反型D、平带状态 10、金属和半导体接触分

为：(B)。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，假设光照突然停顿t?后，其中非平衡载流子将衰减为原来的(A)。 A、1/e

B、1/2C、0D、2/e 12、载流子在电场作用下的运动为(A)，由于浓度差引起的运动为(B)。 A、漂移运动B、集中运动C、热运动 13、锗的晶格构造和能带构造分别是(C)。 A、金刚石型和直接禁带型B、闪锌矿型和直接禁带型 C、金刚石型和间接禁带型D、闪锌矿型和间接禁带型 14、非简并半导体是指(A)的半导体。 A、能使用玻耳兹曼近似计算载流

子浓度 B、用费米分布计算载流子浓度 15、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为(B)，并且该乘积和(D)有关，而与(C)无关。 A、变化量;B、常数;C、杂质浓度和杂质类型;D、禁带宽度和温度半导体物理学试题及答案(二) 一、名词解释(本大题共5题每题4分，共20分) 1、受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常状况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 2、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 3、空穴：当满带顶四周产生P0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，

可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量mp，速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空

穴。 4、过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴△p=p-p0称为过剩载流子。

5、费米能级、化学势

答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的状况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平

衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度上升，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而