半导体物理TCAD实验指导书.docx

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半导体物理与器件试验指导书

——ISETCAD工具使用

中北大学电子科学与技术系编写

ISETCAD环境的生疏了解

一．GENESISe——ISETCAD模拟工具的用户主界面

包括GENESISe平台下如何扫瞄、翻开、保存、增加、删除、更改工程；增加试验；增加试验参数；转变性能；增加工具流程等；

理解根本的工程所需要使用的工具，每个工具的具体功能及相互之间的关系。

二．工艺流程模拟工具LIGMENT/DIOS，器件边界及网格加密工具MDRAW

把握根本工艺流程，能在LIGMENT平台下完成一个完整工艺的模拟；

在运用DIOS工具时会调用在LIGMENT中生成的*_diod文件；

能直接编辑*_diod文件，并在终端下运行；

把握在MDRAW平台下进展器件的边界、掺杂、网格的编辑。三．器件仿真工具DESSIS，曲线检测工具INSPECT和TECPLOT。

理解DESSIS文件的根本构造，例如：文件模块、电路模块、物理模块、数学模块、解算模块；

应用INSPECT提取器件的参数，例如：MOSFET的阈值电压〔Vt〕、击穿电压BV、饱和电流Isat等；

应用TECPLOT观看器件的具体信息，例如：杂质浓度、电场、晶格温度、电子密度、迁移率分布等。

课程试验内容

设计一NMOS工艺流程和GENESISe用户主界面操作生疏

编辑*_diod文件〔或在LEGMENT操作平台下〕对NMOS进展工艺流程模拟；

运行*_diod文件，观看其工艺执行过程。

在MDRAW工具中调入DIOS中生成的mdr_*.bnd和mdr_*d文件，再对器件的网格进展更进一步的加密。

编辑*_desd文件，并在终端下运行此程序，其中对其简洁的Id-Vg

特性进展模拟；

在INSPECT中观看不同的工艺参数值对器件的特性有何影响，特别的对阈值电压的影响。

设计二PN结试验

运用MDRAW工具设计一个PN结的边界〔如下图〕及掺杂；

在MDRAW下对器件必要的位置进展网格加密；

编辑*_desd文件，并在终端下运行此程序，考虑偏压分别在-2V，0V，

0.5V时各自的特性；

应用TECPLOT工具查看PN结的杂质浓度，电场分布，电子电流密度，空穴电流密度分布。

提示：*_desd文件的编辑可以参看软件中供给的例子并加以修改。

A所需条件：N

A

?3?1017，

N ?3?1018

D

设计三NMOS管阈值电压Vt特性试验

运用MDRAW工具设计一个栅长为0.18?m的NMOS管的边界及掺杂；

在MDRAW下对器件必要的位置进展网格加密；

编辑*_desd文件，并在终端下运行此程序；

应用INSPECT工具得出器件的Vt特性曲线；

注：要求在*_desd文件的编辑时必需考虑到器件的二级效应，如：DIBL效应〔drain-inducedbarrierlowering〕,体效应〔衬底偏置电压对阈值电压的影响〕，考虑一个即可。

提示：*_desd文件编辑重点在于考虑DIBL效应时对不同Vd下栅电压的扫描，考虑体效应时对不同衬底负偏压Vsub下栅电压的扫描。并在MDRAW中转变栅长，如：0.14?m，0.10?m等，转变氧化层厚度，掺杂浓度重复上述操

作，提取各自的阈值电压进展比较。

设计四NMOS管Id-Vd特性试验

运用MDRAW工具设计一个栅长为0.18?m的NMOS管的边界及掺杂；

在MDRAW下对器件必要的位置进展网格加密；

编辑*_desd文件，并在终端下运行此程序；

应用INSPECT工具得出器件的Id-Vd特性曲线。

提示：*_desd文件的编辑必需考虑不同栅电压下的Id-Vd〔如：Vg?0.2V,Vg?0.5V,Vg?0.8V,Vg?1.5V,Vg?2.0V〕，Vd扫描范围：0V~2V，最终得到一簇Id-Vd曲线。

ISETCAD使用简介

双击桌面上的主界面，如下图。

图标〔如下图箭头所指图标〕，启开工具软件GENESISe

按Edit按钮，就可以对该Project进展编辑了。

确定SimulationFlow

SimulationFlow是GENESISeproject的主干〔backbone〕,也就是说SimulationFlow是整个project的根底，它定义了在Simulation过程中，调用各种软件