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半导体激光器和氦氖激光器的比较

总体来讲，红光半导体激光器与氦氖激光器相比各有其优势和劣势。本文对氦氖激光器与半导体激光的优缺点进展一些简述，期望对不同应用的客户在选择激光器时产生些许帮助。

激光功率稳定性比照

半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD〔LaserDiode〕，绝大多数半导体激光器模块生产厂家均是购置来LD然后进展装配的。

半导体激光管〔LD〕的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。以下图为一个典型的半导体激光管的功率－电流曲线，从图中可以看到对于同一电

流输入的状况，不同的壳体温度会导致激光管输出的功率产生变化。

半导体激光器模块从散热方式上可以简洁的分为两种：带温控〔TEC〕的半导体激光器与不带温控的半导体激光器。

对于指示或对准等应用，即对激光功率稳定性及激光噪声要求不高的应用，不带温控的半导体激光器模块因其低廉的价格而被大量使用。

而对于需要较高激光功率，或对激光功率稳定性及激光噪声要求较高的应用，一般均承受带温控的半导体激光器。另外，温控对于延长半导体激光器的寿命有很大的帮助。

氦氖激光器是一种气体激光器，其构造如以下图，

在肯定工艺的保证下，高质量的氦氖激光器具有良好的输出功率稳定性和极低的激光噪声水平，并且激光参数受环境温度影响格外小。以MellesGriot公司25-LHP系列氦氖激光器为例，其8小时功率稳定性小于+/-2%；在30Hzto10MHz范围内激光噪声〔RMS值〕小于0.5%；激光器工作温度可从－20°C到＋40°C。

激光输出波长

半导体激光器的中心波长的全都性比较差，不同批次的半导体激光管的中心

半导体激光器的中心波长的全都性比较差，不同批次的半导体激光管的中心

波长一般来说都会略有差异。所以在标明半导体激光器的波长时，正规的标法应当是给出一个波范围。例如MellesGriot公司56RCS004/HS〔28mW〕的波长范

围为636–641nm；56RCS009/HS〔45mW〕波长范围为640–645nm；56RCS008/HS〔75mW〕波长范围为655–665nm。

并且半导体激光管〔LD〕输出波长会随其壳体温度的转变而变化，在壳体温度变化20度的状况下，其输出波长有常常会变化几个纳米。

氦氖激光器的输出波长为准确的632.8nm，并且不会随功率、批次及工作温度的变化而发生转变。

氦氖激光器的输出波长为准确的632.8nm，并且不会随功率、批次及工作温

度的变化而发生转变。

光束质量〔发散角，光斑〕。

半导体激光管〔LD〕的发出的激光束的发散角格外大，且两个方向的发散角不同〔如以下图〕，所以绝大多数半导体激光模块都要对半导体激光管发出的激光进展光束整形。

半导体激光器模块的最终光束整形的效果要视各家公司的光学设计力量有

很大的不同。只经过简洁整形的半导体激光器模块，由于两个方向发散角的差异，激光光斑一般会成椭圆形，且在不同的工作距离上光斑外形也会不同。

MellesGriot拥有实力强大的光学设计队伍，其56RCS系列半导体激光器光斑远场圆度均大于95％，具体请见以下图。

而氦氖激光器在光束质量方面则是各种激光器中的最好的。以MellesGriot氦氖激光器为例，其光束质量因子M2一般均小于1.05，格外接近完善的高斯分布。

调制性能及功率掌握

半导体激光器可以进展高速的数字及模拟调制。以MellesGriot公司56RCS系列半导体激光模块为例，其数字调制〔TTL调制〕可达350MHz，上升沿下降延时间均小于1个纳秒，过冲小于10％。模拟调制也可达5MHz。而且半导体激光的输出功率可以通过对输入电流的掌握或模拟调制信号便利地进展掌握。

而氦氖激光器一般无法供给调制功能功率也无法进展调整。

而氦氖激光器一般无法供给调制功能功率也无法进展调整。

综上所述，半导体激光器与氦氖激光器各有其优势，总结如下：

综上所述，半导体激光器与氦氖激光器各有其优势，总结如下：

半导体激光器比照于氦氖激光器的主要优势在于：1

半导体激光器比照于氦氖激光器的主要优势在于：1、价格廉价，2、体积小；

3、可以做高速调制，4、功率可以很便利的进展各种调制，5、功率可控

而氦氖激光器相对于半导体激光器的主要优势在于：1、优质的光束质量；

而氦氖激光器相对于半导体激光器的主要优势在于：1、优质的光束质量；2、

良好的功率稳定性；3、激光参数〔波长、光斑直径，发散角、光斑能量分布〕

全都性好。(编辑：wander)

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