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半导体激光器LD

特点半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质构造上的差异，产生激光的具体过程比较特别。常用材料有砷化镓〔GaAs〕、硫化镉〔CdS〕、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。鼓励方式有电注入、电子束鼓励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

特点

仪器简介

仪器简介

半导体激光器是以肯定的半导体材料做工作物质而产生受激放射作用的器件 .其工作原理是,通过肯定的鼓励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时 ,便产生受激放射作用.半导体激光器的鼓励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束鼓励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导风光结型二极管,沿正向偏压注入电流进展鼓励,在结平面区域产生受激放射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb 等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵鼓励.高能电子束鼓励式半导体激光器 ,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO 等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进展鼓励 .在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质构造的电注入式GaAs二极管激光器.

半导体激光器激光器优点是体积小，重量轻，运转牢靠，耗电少，效率高等特点。

用半导体材料作为工作物质的激光器.它是利用受激辐射原理，使光在激发的工作物质中放大或放射〔振荡〕的器件.依据激发方法不同，半导体激光器可分为Ｐ－Ｎ结注入式、电子束激发式和光激发式三种。

半导体激光器原理及构造具体介绍

半导体激光器原理及构造具体介绍

半导体激光器工作原理是鼓励方式，利用半导体物质 (既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光

振荡、反响、产生光的辐射放大，输出激光。

受激辐射和粒子数反转分布

有源器件的物理根底是光和物质相互作用的效应。

在物质的原子中，存在很多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4…)称为激发态。

电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种根本方式：受激吸取自发辐射受激辐射(见图3.1)

受激吸取

在正常状态下，电子处于低能级E，在入射光作用下，它会吸取光子的能量跃迁到高能级

1

E上，这种跃迁称为受激吸取。电子跃迁后，在低能级留下一样数目的空穴，见图3.1(a)。

2

自发辐射

在高能级E的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E上与空

2 1

穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图3.1(b)。

受激辐射

在高能级E的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E上与空穴复合，释放的能量

2 1

产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射，见图3.1(c)。

受激辐射和受激吸取的区分与联系

受激辐射是受激吸取的逆过程。电子在E和E两个能级之间跃迁，吸取的光子能量或辐射

1 2

的光子能量都要满足波尔条件，

(3.1)

式中，h=6.628×10-34J·s，为普朗克常数，f为吸取或辐射的光子频率。

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受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不一样。

受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光一样，这种光称为相干光。

自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在肯定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。

产生受激辐射和产生受激吸取的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级E和处于高

1

能级E(EE)的原子数分别为N和N。

2 2 1 1 2

当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布

(3.2)

式中，k=1.381×10-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2-E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2。这是由于电子总是首先占据低能量的轨道。

受激吸取和受激辐射的速率分别比例于N和N，且比例系数(吸取和辐射的概率)相等。

1 2

假设NN，即受激吸取大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质

1 2

称为吸取物质。

假设NN，即受激辐射大于受激吸取，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质

2 1

称为激活物质。

N