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有色金属-国际-SEMI半导体-硅材料工艺掌握标准
录入：王凯 “://cyhaotian.co2m008-7-9/“cyhaotian.co2m008-7-9 人气：20
序
序
号
标准号
标准名称
所属委员会/卷号
1
SEMIMS1-0306
晶片结合对准标线标准指南
2
SEMIMF
2166-0304
通过使用特别参考晶片监控非接触式电
介质评定系统的方法
3
SEMIMF
2139-1103
承受二次离子质谱法测量硅衬底上氮浓
度的方法
4
SEMIMF
2074-1103
硅及其他半导体材料晶片直径的测量方
法指南
5
SEMIMF
1982-1103
热解吸附气相色谱法评估硅片外表有机
污染物的方法
6
SEMI
MF1811-0704
从外表轮廓数据估量功谱密度和相关加
工参数的指南
7
SEMIMF
1810-0304
用于记录硅片择优腐蚀和加工外表缺陷
的方法
8
SEMIMF
1809-0704
表征硅中构造缺陷的腐蚀溶液的选择和
使用指南
9
SEMIMF
1771-0304
通过电压斜线上升技术评估栅极氧完整
性的方法
10
SEMIMF
1763-0706
线性偏光镜测试方法
11
SEMIMF
1727-0304
硅抛光片外表氧化诱生缺陷的检测方法
12
SEMIMF
1726-1103
硅片结晶学完整性分析规程
13
SEMIMF
1725-1103
硅锭结晶学完整性的分析方法
14
SEMIMF
1724-1104
承受酸萃取－原子吸取光谱法测量多晶
硅外表金属沾污
15
SEMIMF
1723-1104
通过漂移区生长和光谱法评价多晶硅棒
的方法
16
SEMIMF
1708-1104
用区融和光谱评定粒状多晶硅的
规程
17
17
SEMIMF
1630-0704
单晶硅Ⅲ－Ⅴ级杂质的低温FT－IR分
析测试方法
18
SEMIMF
1619-1105
以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸取
光谱法测量硅片中间隙氧含量
19
SEMIMF
1618-1104
硅晶片薄膜的不均匀性判定规程
20
SEMIMF
1617-0304
二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表
面上钠、铝和钾
序
序
号
标准号
标准名称
所属委员会/卷号
21
SEMIMF
1569-0705
半导体技术用统一参考材料的形成指南
22
SEMIMF
1535-1106
用微波反射非接触光电导衰减方法测试
硅晶片载流子复合寿命的方法
23
SEMIMF
1530-1105
用非接触自动扫描法测量硅片平坦度、
厚度和厚度变化的试验方法
24
SEMIMF
1529-1104
用双配置程序的一列式四点探针法评定
薄板阻抗不均匀性的方法
25
SEMIMF
1528-1104
用二次离子质谱法测量重搀杂 N型硅衬
底中的硼污染的方法
26
SEMIMF
1527-1104
用于硅电阻测量仪器校准和掌握的参考
材料和参考晶片的使用指南
27
SEMIMF
1451-1104
用自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的
方法
28
SEMIMF
1392-1103
用带汞探针的容量－电压测量器测定硅
晶片中净载流子密度分布的测试方法
29
SEMIMF
1391-0704
红外吸取法测试硅中替位碳原子含量
30
SEMIMF
1390-1104
自动非接触式扫描法测量硅晶片翘曲度
的测试方法
31
SEMIMF
1389-0704
Ⅲ－Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发
光分析的测试方法
用金属－氧化物－硅电容器容量－时间
用金属－氧化物－硅电容器容量－时间
32
SEMIMF
1388-1106
(C-T)法测定硅材料产生寿命
度的试验方法
和生产速
33
SEMIMF
1366-0305
用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中
氧含量的方法
34
SEMIMF
1239-0305
用测量间隙氧削减方法测试硅晶片的氧
析出特性
35
SEMIMF
1188-1105
用短基线红外吸取法测试硅中间隙原子
氧含量
36
SEMIMF
1153-1106
用电容－电压测量法对硅金属氧化物结
构特性的试验方法
37
SEMIMF
1152-0305
硅片刻槽尺寸的测试方法
38
SEMIMF
1049-0304
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
39
SEMI
MF1048-1105
测量全反射集成分散器的方法
40
SEMIMF
978-1106
承受瞬时电容法标示深能级半导体试验
方法
序
序
号
标准号
标准名称
所属委员会/卷号
41
SEMIMF
951-0305
测量硅片间隙氧径向变化的试验方法
42
S
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