半导体器件物理教学内容和要点.docx

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教学内容和要点

第一章半导体物理根底

其次节载流子的统计分布

—、能带中的电子和空穴浓度二、本征半导体

三、只有一种杂质的半导体四、杂质补偿半导体

第三节简并半导体

、载流子浓度

二、发生简并化的条件第四节载流子的散射

、格波与声子二、载流子散射

三、平均自由时间与弛豫时间四、散射机构

第五节载流子的输运

、漂移运动迁移率电导率二、集中运动和集中电流

三、流密度和电流密度

四、非均匀半导体中的自建场第六节非平衡载流子

、非平衡载流子的产生与复合二、准费米能级和修正欧姆定律三、复合机制

四、半导体中的根本掌握方程：连续性方程和泊松方程其次章PN结

第一节热平衡PN结

一、PN结的概念：同质结、异质结、同型结、异型结、金属－半导体

结

成的过程

突变结、缓变结、线性缓变结

二、硅PN结平面工艺流程〔多媒体演示图2.1〕三、空间电荷区、内建电场与电势

四、承受费米能级和载流子漂移与集中的观点解释PN结空间电荷区形

五、利用热平衡时载流子浓度分布与自建电势的关系求中性区电势及PN结空间电荷区两侧的内建电势差

六、解poisson’sEq求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、内建电势差和空间电荷区宽度〔利用耗尽近似〕

其次节加偏压的P N结

—、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结的单向导电性

二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注入和反向抽取现象

第三节 抱负P?N结的直流电流-电压特性

一、解集中方程导出抱负PN结稳态少子分布表达式，电流分布表达式，电流－电压关系

二、说明抱负PN结中反向电流产生的机制〔集中区内热产生载流子电

流〕

第四节空间电荷区的复合电流和产生电流一、复合电流

二、产生电流第五节隧道电流

一、隧道电流产生的条件

二、隧道二极管的根本性质〔多媒体演示Fig2.12〕第六节I?V特性的温度依靠关系

一、反向饱和电流和温度的关系二、I?V特性的温度依靠关系

第七节耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管一、PN结C-V特性

二、过渡电容的概念及相关公式推导求杂质分布的程序〔多媒体演

示Fig2.19〕

三、变容二极管第八节小讯号沟通分析

一、沟通小信号条件下求解连续性方程，导出少子分布，电流分布和总电流公式

二、集中电容与沟通导纳三、沟通小信号等效电路

第九节 电荷贮存和反响瞬变

一、反向瞬变及电荷贮存效应二、利用电荷掌握方程求解?s

三、阶跃恢复二极管根本理论

第十节P-Ｎ结击穿

一、PN结击穿

二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿根本理论的推导三、计算机关心计算例题2－3及相关习题

第三章双极结型晶体管

第一节双极结型晶体管的构造

一、了解晶体管进展的历史过程

二、BJT的根本构造和工艺过程〔多媒体图3.1〕概述其次节根本工作原理

一、抱负BJT的根本工作原理二、四种工作模式

三、放大作用〔多媒体Fig3.6〕四、电流重量〔多媒体Fig3.7〕

五、电流增益〔多媒体Fig3.83.9〕第三节抱负双极结型晶体管中的电流传输

一、抱负BJT中的电流传输：解集中方程求各区少子分布和电流分布二、正向有源模式

三、电流增益～集电极电流关系

第四节爱拜耳斯-莫尔〔Ebers?Moll〕方程

一、四种工作模式下少子浓度边界条件及少子分布二、E-M模型等效电路

三、E-M方程推导第五节缓变基区晶体管

一、基区杂质浓度梯度引起的内建电场及对载流子的漂移作用二、少子浓度推导

三、电流推导

四、基区输运因子推导

第六节基区扩展电阻和电流集聚一、基区扩展电阻

二、电流集聚效应第七节基区宽度调变效应

一、基区宽度调变效应〔EARLY效应〕

二、h和I的转变

FE CE0

第八节晶体管的频率响应

一、根本概念：小信号共基极与共射极电流增益〔?，h〕，

fe

共基极截止频率和共射极截止频率〔W,W〕,增益－频率

ɑ ?

带宽或称为特征频率〔W〕，

T

二、公式〔3－36〕、〔3－65〕和〔3－66〕的推导

三、影响截止频率的四个主要因素：τ

B

四、Kirk效应

第九节混接?型等效电路

、τ、τ

E C

、τ及相关推导

D

—、参数：g、g、C的推导

m be D

二、等效电路图〔图3－23〕

三、证明公式〔3－85〕、〔3－86〕第十节 晶体管的开关特性

一、开关作用

二、影响开关时间的四个主要因素：t

d

、t、t、t

r f s

三、解电荷掌握方程求贮存时间t

s

第十一节击穿电压

一、两种击穿机制

二、计算机关心计算：