半导体CMP材料：集成电路关键制程材料.docx

在晶圆制造材料中，CMP抛光材料占据了7%的市场。依据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经受几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。从0.35μm技术节点开头，CMP技术成为了目前唯一可实现全局平坦化的关键技术。

化学机械抛光技术(CMP)全称为ChemicalMechanicalPolishing ，是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。集成电路制造过程好比建房子，每搭建一层楼层都需要让楼层足够水平齐整，才能在其上方连续搭建另一层楼，否则楼面就会凹凸不平，影响整体牢靠性，而这个使楼层整体平坦的技术在集成电路中制造中用的就是化学机械抛光技术。

集成电路制造需要在单晶硅片上执行一系列的物理和化学操作，工艺简单，在单晶硅片制造和前半制程工艺中会屡次用到CMP技术。在前半制程工艺中，主要应用在多层金属布线层的抛光中。由于IC元件承受多层立体布线，需要刻蚀的每一层都有很高的全局平坦度，以保证每层全局平坦化。

与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP是一种由化学作用和机械作业两方面协同完成的抛光方法，能够实现晶圆外表的高度〔纳米级〕平坦化效果，是薄膜平坦化的最正确利器，进而能够改进芯片的整体构造，提升芯片的综合性能。

依据ICInsights统计数据，2023年全球CMP抛光材料市场规模为20.1亿美元，其中抛光液和抛光垫市场规模分别为12.7亿美元和7.4亿美元，中国抛光液市场规模约16亿人民币，估量2023-2023年全球CMP抛光材料市场规模年复合增长率为6%。

从产业链上看，CMP抛光材料位于上游。中游为晶圆加工和芯片制造，下游为计算机、通讯、汽车电子、工控医疗等终端应用。

CMP的主要工作原理是在肯定的压力及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用

之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆外表到达高度平坦化、低外表粗糙度和低缺陷的要求。

CMP抛光材料主要包括抛光液、抛光垫、调整器、清洁剂等，其市场份额分别占比49%、33%、9%和5%。主要以抛光液和抛光垫为主，至2023年市场抛光液和抛光垫市场分别到达了12.7和7.4亿美元。

抛光液的作用主要是为抛光对象供给研磨及腐蚀溶解，通常为影响化学机械抛光的化学因素。

抛光垫的作用主要是传输抛光液，传导压力和打磨发生化学反响的材料外表，通常为影响化学机械抛光的机械因素。

抛光材料的市场容量主要取决于下游晶圆产量，近年来始终保持较为稳定增长，估量到2023年全球市场规模到达23亿美元以上，其中抛光液的市场规模有望在2023年突破14亿美元，是带动整个抛光耗材市场成长主要动力。

抛光液门槛较高。抛光液一般分为二氧化硅抛光液、钨抛光液、铝抛光液和铜抛光液。其中铜抛光液主要应用于130nm及以下技术节点规律芯片的制造

工艺，而钨抛光液则大量应用于存储芯片制造工艺，在规律芯片中用量较

少。

抛光液在CMP过程中影响着化学作用与磨粒机械作用程度的比例，很大程度上打算了CMP能获得的抛光外表质量和抛光效果。

集成电路工艺的进化带来了对抛光材料的各种需求。过去三十年中，集成电路产业遵循摩尔定律，制程节点不断推动，从1997年250nm开头，平均每18个月左右消灭一代技术节点，目前领先厂商如台积电等已实现7nm工艺量产，5nm工艺也量产在即。规律芯片随着制程增加，也为CMP抛光液用量带来了增长时机。

90nm工艺要求的关键CMP工艺仅12步左右，所用抛光液的种类约5、6

种，而7nm以下工艺CMP抛光步骤甚至可达30步，使用抛光液种类也接近

30种，带动CMP抛光液的种类和用量都快速增长。

目前全球CMP抛光材料市场主要由美国和日本厂商所垄断，卡博特

〔Cabot〕、日立〔Hitachi〕、Fujimi、Versum和陶氏〔Dow〕五家厂商便占据了约80%的市场份额，国产厂商市占率较低，但和2023年时卡博特独占80%份额相比，格局已有了明显优化。

全球芯片抛光液主要被日本Fujimi、HinomotoKenmazai 公司，美国卡博特、杜邦、Rodel、Eka，韩国的ACE等所垄断，占据全球90%以上的高端市场份额。其中卡博特全球抛光液市场占有率最高，但是已经从2023年约80%下降至2023年35%，说明将来全球抛光液市场朝向多元化进展，外乡化自给率提升。国内这一市场主要依靠进口，国内