半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验.docx

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半导体PN结的物理特性及弱电流测量试验

【试验目的】

在室温时，测量PN结电流与电压关系，证明此关系符合指数分布规律。

在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。

学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流。

测量PN结电压与温度的关系，求出该PN结温度传感器的灵敏度。

计算在0K温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度。

【试验原理】

PN结伏安特性及玻尔兹曼常数测量

由半导体物理学可知，PN结的正向电流-电压关系满足：

I?I?exp(eU/kT)?1? (1)

0

式中I是通过PN结的正向电流，I是反向饱和电流，在温度恒定是为常数，T是热力学温度，e是

0

电子的电荷量，U为PN结正向压降。由于在常温(300K)时，kT/e≈0.026v，而PN结正向压降约为格外之几伏，则exp(eU/kT)1，(1)式括号内－1项完全可以无视，于是有：

I?I exp(eU/kT) (2)

0

也即PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。假设测得PN结I-U关系值，则利用(1)式可以求出e/kT。在测得温度T后，就可以得到e/k常数，把电子电量作为值代入，即可求得玻尔兹曼常数k。

在实际测量中，二极管的正向I-U关系虽然能较好满足指数关系，但求得的常数k往往偏小。这是由于通过二极管电流不只是集中电流，还有其它电流。一般它包括三个局部：1〕集中电流，它严格遵循(2)式；2〕耗尽层符合电流，它正比于exp(eU/2kT)；3)外表电流，它是由硅和二氧

化硅界面中杂质引起的，其值正比于exp(eU/mkT)，一般m2。因此，为了验证(2)式及求出准

确的e/k常数，不宜承受硅二极管，而承受硅三极管接成共基极线路，由于此时集电极与基极短接，集电极电流中仅仅是集中电流。复合电流主要在基极消灭，测量集电极电流时，将不包括它。本实

1MTIP317+15VTIP31100

1M

TIP31

7+15V

TIP31

100Ω

e

c

2 -

1.5V

LF356

6

b c e

b 3

+

V

8765

1

4

-15V

V

2

LF356

1234

图1PN结集中电源与结电压关系测量线路图

弱电流测量

过去试验中10?6A-10?11A量级弱电流承受光点反射式检流计测量，该仪器灵敏度较高约10?9A/分度，但有很多缺乏之处，如格外怕震，挂丝易断；使用时稍有不慎，光标易偏出满度，瞬间过载引起引丝疲乏变形产生不回零点及指示差变大。使用和修理极不便利。近年来，集成电路与

数字化显示技术越来越普及。高输入阻抗运算放大器性能优良，价格低廉，用它组成电流-电压变

Rf

R

f

-

I

s

K

+ o

I

s

Z

r

U

i

U

0

图2电流－电压变换器

LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器，用它组成电流-电压变换器(弱电流放大器),如图2

所示。其中虚线框内电阻Z 为电流-电压变换器等效输入阻抗。由图2，运算放大器的输入电压U

r 0

为：

U ??KU (3)

0 0 i

式(3)中U为输入电压，K为运算放大器的开环电压增益，即图4中电阻R ??时的电压增益，

i 0 f

R 称反响电阻。由于抱负运算放大器的输入阻抗r

f i

??，所以信号源输入电流只流经反响网络构

成的通路。因而有：

I ?(U ?U)/R ?U(1?K)/R (4)

S i 0 r i 0 f

由〔4〕式可得电流-电压变换器等效输入阻抗Z为

r

Z ?U/I ?R /(1?K)?R /K (5)

i s f 0 f 0

由(3)式和(4)式可得电流-电压变换器输入电流I 输出电压U之间得关系式，即：

z 0

I ??U0(1?K)/R ??U

(1?1/K

)/R ??U /R

(6)

K 0 f 0

0 f 0 f

由(6)式只要测得输出电压U和R 值，即可求得I值。以高输入阻抗集成运算放大器LF356

0 f s

为例来争论Z和I

r s

值的大小。对LF356运放的开环增益K

0

?2?105，输入阻抗r

i

?1012?。假设

取R 为1.00M?，则由(5)式可得：

f

Z ?1.00?106?/(1?2?105)?5?

r

假设选用四位半量程200mV数字电压表，它最终一位变化为0.01mV，那么用上述电流-电压变换器能显示最小电流值为：

(I