半导体复习资料参考材料试题.docx

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一、填空题

自由电子的能量与波数的关系式为〔

E(k)?

h2k2

2m0 〕，孤立原子中的电子能量〔大小为

mq4

E ? 0

n 8?

2h2n2

0

的分立能级〕，晶体中的电子能量为〔电子共有化运动〕所形成的〔准连续〕

的能带。

温度肯定时，对于肯定的晶体，体积大的能带中的能级间隔〔小〕，对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度〔变小〕。

玻尔兹曼分布适用于〔非简并〕半导体，对于能量为E的一个量子态被电子占据的概率

f (E)?exp(EF)?exp(?E)

为〔B kT kT

0 0 〕，费米分布适用于〔简并〕半导体，对于能量为E的

1

f(E)?

1?exp(

E?E

F)

—个量子态被电子占据的概率为〔

k0T 〕，当EF 满足

E ?E ?2kT或E ?E ?2kT

〔C F 0 F V 0 〕时，必需考虑该分布。

半导体材料中的〔能带构造〔直接复合〕〕、〔杂质和缺陷等复合中心〔间接复合〕〕、〔样品外形和外表状态〔外表复合〕〕等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的〔完整性〕，是衡量材料的一个重要指标。

Si属于〔间接〕带隙半导体。导带微小值位于布里渊区的〔100方向〕上由布里渊区中心点Г到边界X点的〔0.85倍〕处，导带极值四周的等能面是〔长轴沿100方向的旋转椭球面〕，在简约布里渊区，共有〔6〕个这样的等能面。

Ge属于〔间接〕带隙半导体。导带微小值位于布里渊区的〔111方向〕上由布里渊区边界L点处，导带极值四周的等能面是〔长轴沿111方向的旋转椭球面〕，在简约布里渊区，共有〔4〕个这样的等能面。

GaAs属于〔直接〕带隙半导体。导带微小值位于布里渊区中心点Г处，极值四周的等能面是〔球面〕，在简约布里渊区，共有〔1〕个这样的等能面。在布里渊区的〔111方向〕边界L点处，存在高于能谷值0.29eV的次低能谷，简约布里渊区一共有〔8〕个这样的能谷。

Si、Ge和GaAs能带构造的共同点：1)禁带宽度具有负温度系数2)价带顶位于布里渊区中心，k=0处，等能面不是球面，有轻重空穴之分。

有效质量是〔半导体内部势场〕作用的概括。由于晶体内部的各向异性，在k空间的三

1个主轴上，有效质量可以表示为〔 ?

1

1?2E 1

?、

?

1?2E 1

?、

?

1?2E

，一般

m* h2

x

?k2

x

m* h2

y

?k2

y

m* h2

z

?k2

z

?2E

xyz2状况下，m*，m*，m*是不等的〕。在能带底部，?k

x

y

z

2

为(正)值，即m*(?0)；在能带顶部，

?2E

?k2

为(负)值，即m*(?0)。在E~k关系的拐点处，〔m*

nn n

n

??〕，说明此处电子〔不受外

电场作用，电子从外场获得的能量，全部释放给晶格〕。内层电子形成的能带〔窄〕，E~k

?2E ?2E

曲线曲率〔小〕，?k2

〔小〕，所以m*〔大〕。外层电子能带〔宽〕，

n ?k2

〔大〕，所以m*〔小〕，

n

共有化运动强，在外力作用下，可以获得更大的加速度。

E?E

一种晶体中导带底电子能量E与波矢K的关系为 c

h2k2

2A

，其中

Ec为导带底能

量，A是常数，则电子的有效质量：〔m?

n

? h2

(d2E)

dk2

?A〕。

?h2(k?k)2

?

E 0

B k

一维晶体中电子能量E与波矢K的关系为 ，其中0和B是常数，则电

1dE 2h

子速度：〔v?

? 〕。

hdk B

半导体的陷阱中心使其中心光电导灵敏度〔提高〕，并使其光电导衰减规律〔延长衰减时间〕。

当系统处于热平衡状态，也不对外做功的状况下，系统〔每增加一个电子〕所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。费米能级标志了〔电子填充能级〕的水平。它主要受〔掺杂浓度〕、〔掺杂种类〕和〔温度〕的影响。在确定零度时，

E?E

F

的能级〔没有〕电子占据；而E?E

F

的能级〔完全被〕电子占据。随着温度的升

高，电子占据E?E

F

的能级概率〔增大〕，空穴占据E?E

F

的能级概率〔增大〕。

二、选择题

施主杂质电离后向半导体导带供给〔B〕，受主杂质电离后向半导体价带供给〔A〕，本征激发后向半导体供给〔AB〕。A.空穴B.电子

室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，费米能级〔B〕；连