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半导体制造的常用名词
发表于:2023-5-0717:10 作者:luhaoxinglhx 来源:半导体技术天地
Ingot-Acylindricalsolidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfromwhichwafersarecut.
晶锭-由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
LaserLight-ScatteringEvent-Asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonawafer.
激光散射-由晶圆片外表缺陷引起的脉冲信号。
Lay-Themaindirectionofsurfacetextureonawafer.
层-晶圆片外表构造的主要方向。
LightPointDefect(LPD)(Notpreferred;seelocalizedlight-scatterer)
光点缺陷(LPD)〔不推举使用，参见“局部光散射”〕
Lithography-Theprocessusedtotransferpatternsontowafers.
光刻-从掩膜到圆片转移的过程。
LocalizedLight-Scatterer-Onefeatureonthesurfaceofawafer,suchasapitorascratchthatscatterslight.Itisalsocalledalightpointdefect.
局部光散射-晶圆片外表特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot-Wafersofsimilarsizesandcharacteristicsplacedtogetherinashipment.
批次-具有相像尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
MajorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisdominantinaspecificregion,suchaselectronsinanN-Typearea.
多数载流子-一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。
MechanicalTestWafer-Asiliconwaferusedfortestingpurposes.
机械测试晶圆片-用于测试的晶圆片。
Microroughness-Surfaceroughnesswithspacingbetweentheimpuritieswithameasurementofless
than100μm.
微粗糙-小于100微米的外表粗糙局部。
MillerIndices,ofaCrystallographicPlane-Asystemthatutilizesthreenumberstoidentifyplanorientationinacrystal.
Miller索指数-三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自一样系统的根本向量。
MinimalConditionsorDimensions-Theallowableconditionsfordeterminingwhetherornotawaferisconsideredacceptable.
最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。
MinorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisnotdominantinaspecificregion,suchaselectronsinaP-Typearea.
少数载流子-在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。
Mound-Araiseddefectonthesurfaceofawafermeasuringmorethan0.25mm.
堆垛-晶圆片外表超过0.25毫米的缺陷。
Notch-Anindentontheedgeofawaferusedfororientationpurposes.
凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
Orange
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