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课题序号 2
授课课时 8
授课章节名 称
使用教具
授课班级授课形式
主题7、光 刻
多媒体
075电子1、2讲授
1、把握光刻工艺的根本步骤
2、了解正性光刻和负性光刻
教学目的3、了解光刻设备简介
4、了解光刻质量掌握
教学重点把握光刻工艺的根本步骤
教学难点正性光刻和负性光刻
更、补充、删节内容
课外作业
教学后记
授课主要内容或板书设计
概述
光刻工艺的根本步骤
正性光刻和负性光刻
光刻设备简介
光刻质量掌握
课堂教学安排
教学过程导入
半导体制造工艺流程
主要教学内容及步骤
授 1.1 光刻的概念
光刻处于晶圆加工过程的中心,一般被认为是集成电路〔IC〕制造中最关键的步骤,需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。
光刻的目的
光刻的根本原理图
光刻实际是图形的转移,把掩膜版上的图形转移到晶圆的外表。
光刻的主要参数
在光刻工艺中,主要的参数有特征尺寸、区分率、套准精度和工艺宽容度等。
特征尺寸
区分率
焦深的示意图
套准精度
工艺宽容度
光刻的曝光光谱
曝光光源的能量要能激活光刻胶,并将图形从掩膜版中转移到晶圆外表。由于光刻胶材料与紫外光所对应的特定波长的光发生反响,因此目前紫外光始终是形成光刻图形常用的能量源。
常用的曝光光源以及光源波长与特征尺寸的关系
光刻的环境条件
在晶圆的批量生产中,光刻机对环境的要求格外苛刻,特别是现在的深亚微米尺寸的生产线。微小的环境变化就可能导致器件的各种缺陷。光刻设备有一个要求格外严格的密封室掌握各种条件,例如温度、振动、颗粒沾污和大气压力等。
温度
振动
颗粒沾污
大气压力
掩膜版
掩膜版是晶圆生产过程中格外重要的一局部。比较常用的是掩膜版和投影掩膜版。掩膜版包含了整个晶圆的芯片阵列并且通过单一的曝光转印图形,一般用于较老的接近式光刻机或扫描对准投影机中。投影掩膜版是一种局部透亮的平板,在它上面有将要转印到晶圆上的一局部图形〔例如几个芯片的图形〕,因此需要经过分步重复在整个晶圆外表形成掩盖,一般用于分步重复光刻机和步进扫描光刻机。
投影掩膜版的材料
投影掩膜版的缩影和尺寸
投影掩膜版的制造
光刻工艺的根本步骤
气相成底膜
光刻的根本工艺步骤
旋转涂胶
气相成底膜示意图
旋转涂胶示意图
软烘
曝光
烘焙
显影
曝光设备的构造示意图
坚膜
显影检查
显影示意图
正性光刻和负性光刻
正性光刻和负性光刻的概念
光刻包括两种根本的工艺类型:正性光刻和负性光刻。正性光刻是把与掩膜版上一样的图形复制到晶圆上。负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆外表。正性光刻与负性光刻的光刻效果如下图。
正性光刻与负性光刻的光刻效果
正性光刻
负性光刻
光刻胶
光刻胶,亦称光致抗蚀剂,其质量的好坏对光刻有很大的影响,因此在集成电路的制造中必需要选择和配置适宜的光刻胶。
光刻胶的组成及原理
光刻胶的种类
光刻胶的使用存储
正性光刻和负性光刻的优缺点
依据在光刻工艺中使用的光刻胶的不同,可以将光刻工艺分为正性光刻和负性光刻。
光刻设备简介
接触式光刻机
接触式光刻机是从SSI〔小规模集成电路〕时代〔20世纪70年月〕的主要光刻手段。它被用于线宽尺寸约为5μm及以上的生产中。现在接触式光刻机已经根本不再被广泛使用。接触式光刻的示意图如下图。
接近式光刻机
接触式光刻示意图
接近式光刻机是从接触式光刻机进展过来的,并且在20世纪70年月的SSI时代和MSI〔中规模集成电路〕早期普遍使用。这种光刻机如今仍旧在生产量小的老生产线中使用,一些试验室和生产分立器件的生产线中也有使用。接近式光刻的示意图如下图。
扫描投影光刻机
接近式光刻的示意图
不管是接触式还是接近式光刻,都存在沾污、边缘衍射、区分率限制并且依靠操作者等问题。20世纪70年月消灭的扫描投影光刻机试图解决这些问题,直到20世纪80年月初扫描投影光刻机开头占据主导地位。现在这种光刻机仍在较老的晶圆生产线中使用。它们适用于线宽大于1μm的非关键层。
分步重复光刻机
步进扫描光刻机
分步重复光刻机示意图
步进扫描光学光刻系统是一种混合设备,融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机的技术,是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶圆
上的一局部实现光刻。使用步进扫描光刻机的优点是增大了曝光场,可以获得较大的芯片尺寸。透镜视场只要是一个瘦长条就可以了,在步进到下一个位置前,它通过一个小的、校正好的26×33mm2像场扫描一个缩小的掩膜版〔通常是4倍〕。大视场的另一个优点是有时机在投影掩膜版上多放几个图形,因而一次曝光可以多曝光些芯片。步进光刻的示意图如下图。
步进光刻的示意图
光刻质量掌握
光刻胶的质量掌握
光刻胶的质量掌握主要表达
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