半导体制造工艺教案7-光刻概要.docx

  1. 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

课题序号 2

授课课时 8

授课章节名 称

使用教具

授课班级授课形式

主题7、光 刻

多媒体

075电子1、2讲授

1、把握光刻工艺的根本步骤

2、了解正性光刻和负性光刻

教学目的3、了解光刻设备简介

4、了解光刻质量掌握

教学重点把握光刻工艺的根本步骤

教学难点正性光刻和负性光刻

更、补充、删节内容

课外作业

教学后记

授课主要内容或板书设计

概述

光刻工艺的根本步骤

正性光刻和负性光刻

光刻设备简介

光刻质量掌握

课堂教学安排

教学过程导入

半导体制造工艺流程

主要教学内容及步骤

授 1.1 光刻的概念

光刻处于晶圆加工过程的中心,一般被认为是集成电路〔IC〕制造中最关键的步骤,需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。

光刻的目的

光刻的根本原理图

光刻实际是图形的转移,把掩膜版上的图形转移到晶圆的外表。

光刻的主要参数

在光刻工艺中,主要的参数有特征尺寸、区分率、套准精度和工艺宽容度等。

特征尺寸

区分率

焦深的示意图

套准精度

工艺宽容度

光刻的曝光光谱

曝光光源的能量要能激活光刻胶,并将图形从掩膜版中转移到晶圆外表。由于光刻胶材料与紫外光所对应的特定波长的光发生反响,因此目前紫外光始终是形成光刻图形常用的能量源。

常用的曝光光源以及光源波长与特征尺寸的关系

光刻的环境条件

在晶圆的批量生产中,光刻机对环境的要求格外苛刻,特别是现在的深亚微米尺寸的生产线。微小的环境变化就可能导致器件的各种缺陷。光刻设备有一个要求格外严格的密封室掌握各种条件,例如温度、振动、颗粒沾污和大气压力等。

温度

振动

颗粒沾污

大气压力

掩膜版

掩膜版是晶圆生产过程中格外重要的一局部。比较常用的是掩膜版和投影掩膜版。掩膜版包含了整个晶圆的芯片阵列并且通过单一的曝光转印图形,一般用于较老的接近式光刻机或扫描对准投影机中。投影掩膜版是一种局部透亮的平板,在它上面有将要转印到晶圆上的一局部图形〔例如几个芯片的图形〕,因此需要经过分步重复在整个晶圆外表形成掩盖,一般用于分步重复光刻机和步进扫描光刻机。

投影掩膜版的材料

投影掩膜版的缩影和尺寸

投影掩膜版的制造

光刻工艺的根本步骤

气相成底膜

光刻的根本工艺步骤

旋转涂胶

气相成底膜示意图

旋转涂胶示意图

软烘

曝光

烘焙

显影

曝光设备的构造示意图

坚膜

显影检查

显影示意图

正性光刻和负性光刻

正性光刻和负性光刻的概念

光刻包括两种根本的工艺类型:正性光刻和负性光刻。正性光刻是把与掩膜版上一样的图形复制到晶圆上。负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆外表。正性光刻与负性光刻的光刻效果如下图。

正性光刻与负性光刻的光刻效果

正性光刻

负性光刻

光刻胶

光刻胶,亦称光致抗蚀剂,其质量的好坏对光刻有很大的影响,因此在集成电路的制造中必需要选择和配置适宜的光刻胶。

光刻胶的组成及原理

光刻胶的种类

光刻胶的使用存储

正性光刻和负性光刻的优缺点

依据在光刻工艺中使用的光刻胶的不同,可以将光刻工艺分为正性光刻和负性光刻。

光刻设备简介

接触式光刻机

接触式光刻机是从SSI〔小规模集成电路〕时代〔20世纪70年月〕的主要光刻手段。它被用于线宽尺寸约为5μm及以上的生产中。现在接触式光刻机已经根本不再被广泛使用。接触式光刻的示意图如下图。

接近式光刻机

接触式光刻示意图

接近式光刻机是从接触式光刻机进展过来的,并且在20世纪70年月的SSI时代和MSI〔中规模集成电路〕早期普遍使用。这种光刻机如今仍旧在生产量小的老生产线中使用,一些试验室和生产分立器件的生产线中也有使用。接近式光刻的示意图如下图。

扫描投影光刻机

接近式光刻的示意图

不管是接触式还是接近式光刻,都存在沾污、边缘衍射、区分率限制并且依靠操作者等问题。20世纪70年月消灭的扫描投影光刻机试图解决这些问题,直到20世纪80年月初扫描投影光刻机开头占据主导地位。现在这种光刻机仍在较老的晶圆生产线中使用。它们适用于线宽大于1μm的非关键层。

分步重复光刻机

步进扫描光刻机

分步重复光刻机示意图

步进扫描光学光刻系统是一种混合设备,融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机的技术,是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶圆

上的一局部实现光刻。使用步进扫描光刻机的优点是增大了曝光场,可以获得较大的芯片尺寸。透镜视场只要是一个瘦长条就可以了,在步进到下一个位置前,它通过一个小的、校正好的26×33mm2像场扫描一个缩小的掩膜版〔通常是4倍〕。大视场的另一个优点是有时机在投影掩膜版上多放几个图形,因而一次曝光可以多曝光些芯片。步进光刻的示意图如下图。

步进光刻的示意图

光刻质量掌握

光刻胶的质量掌握

光刻胶的质量掌握主要表达

文档评论(0)

189****1877 + 关注
官方认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

认证主体天津卓蹊信息咨询有限公司
IP属地天津
统一社会信用代码/组织机构代码
91120102MADL1U0A9W

1亿VIP精品文档

相关文档