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半导体发光器件包括半导体发光二极管〔简称LED〕、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏〔简称矩阵管〕等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。

一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用

〔一〕LED发光原理

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs〔砷化镓〕、GaP〔磷化镓〕、GaAsP〔磷砷化

镓〕等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在肯定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子〔少子〕一局部与多数载流子〔多子〕复合而发光，如图1所示。

假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被

发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心〔这个中心介于导带、介带中间四周〕捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子集中区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即

λ≈1240/Eg〔mm〕

式中Eg的单位为电子伏特〔eV〕。假设能产生可见光〔波长在380nm紫光～780nm红光〕，

半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管本钱、价格很高，使用不普遍。

〔二〕LED的特性

极限参数的意义

允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。

最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。

工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，

发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。

电参数的意义

光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。

由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。

发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线〔对圆柱形发光管是指其轴线〕方向上的发光强度。假设在该方向上辐射强度为〔1/683〕W/sr时，则发光1坎德拉〔符号为

cd〕。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。

光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.

半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向

〔法向〕的夹角。

半值角的2倍为视角〔或称半功率角〕。

图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的状况。中垂线〔法线〕AO的坐

标为相对发光强度〔即发光强度与最大发光强度的之比〕。明显，法线方向上南喽苑⒐馇慷任?，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。

正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应依据需要选择IF在0.6·IFm以下。

正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一

般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度上升时，VF将下降。

〔7〕V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。

在正向电压正小于某一值〔叫阈值〕时，电流微小，不发光。当电压超过某一值后，正

向电流随电压快速增加，发光。由V-I曲线可以得动身光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR10μA以下。

〔三〕LED的分类

按发光管发光颜色分

按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色〔又细分黄绿、标准绿和纯绿〕、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。

依据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还

可分成有色透亮、无色透亮、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。

按发光管出光面特征分

按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、外表安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1〔3/4〕；把φ4.4