半导体器件物理复习重点.docx

第一章PN结

PN结是怎么形成的？

耗尽区：正由于空间电荷区内不存在任何可动的电荷，所以该区也称为耗尽区。

空间电荷边缘存在多子浓度梯度，多数载流子便受到了一个集中力。在热平衡状态下，电场力与集中力相互平衡。

p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子〔这局部叫做载流子的集中〕，正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走〔这局部叫做载流子的漂移〕，载流子的集中与漂移到达动态平衡，所以pn结不加电压下呈电中性。

PN结的能带图〔平衡和偏压〕

无外加偏压，处于热平衡状态下，费米能级处处相等且恒定不变。

内建电势差计算

N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒，这个势垒称为内建电势差。

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空间电荷区的宽度计算

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PN结电容的计算

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其次章PN结二极管

抱负PN结电流模型是什么？势垒维持了热平衡。

反偏：n区相对于p区电势为正，所以n区内的费米能级低于p区内的费米能级，势垒变得更高，阻挡了电子与空穴的流淌，因此pn结上根本没有电流流淌。正偏：p区相对于n区电势为正，所以p区内的费米能级低于n区内的费米能级，势垒变得更低，电场变低了，所以电子与空穴不能分别滞留在n区与p区，所以pn结内就形成了一股由n区到p区的电子和p

区到n区的空穴。电荷的流淌在pn结内形成了一股电流。

过剩少子电子：正偏电压降低了势垒，这样就使得n区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p区内，注入的电子增加了p区少子电子的浓度。

少数载流子分布〔边界条件和近似分布〕

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PN结二极管的等效电路〔集中电阻和集中电容的概念〕？

集中电阻：在二极管外加直流正偏电压，再在直流上加一个小的低频正弦电压，则直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流，正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻，即集中电阻。

集中电容：在直流电压上加一个很小的沟通电压，随着外加正偏电压的转变，穿过空间电荷区注入到n区内的空穴数量也发生了变化。P区内的少子电子浓度也经受了同样的过程，n区内的空穴与p区内的电子充放电过程产生了电容，即集中电容。

产生-复合电流的计算

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PN结的两种击穿机制有什么不同？

齐纳击穿:重掺杂的pn结由于隧穿机制而发生齐纳击穿。在重掺杂pn结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得格外近，以至于电子可以由p区直接隧穿到n区的导带。即齐纳击穿。

雪崩击穿：当电子或空穴穿越空间电荷区时，由于电场的作用，他们的能量会增加，增加到肯定的肯定程度时，并与耗尽区的原子电子发生碰撞，便会产生的电子空穴对，的电子空穴又会撞击原子内的电子，于是就发生了雪崩击穿。

对于大多数pn结来说，雪崩击穿占主导地位。在电场的作用下，的电子与空穴会朝着相反的方向运动，于是便形成了的电流。

第三章双极晶体管

双极晶体管的工作原理是什么？

双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？正向有源，反向有源，截止，饱和。

双极晶体管的少子分布〔图示〕

双极晶体管的电流成分〔图示〕，它们是怎样形成的？

正向有源时同少子分布。

低频共基极电流增益的公式总结〔分析如何提高晶体管的增益系数〕

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