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半导体工艺之气相外延

在半导体科学技术的进展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。

硅的外延生长

一个含有硅原子的气体以适当的方式通过衬底，自反响剂分子释放出的原子在衬底上运动直到它们到达适当的位置，并成为生长源的一局部，在适当的条件下就得到单一的晶向。所得到的外延层准确地为单晶衬底的连续。

它是在肯定条件下，在经过切、磨、抛等认真加工的单晶衬底上，生长一层符合要求的单晶层的方法。

硅外延生长其意义是在具有肯定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底一样晶向的电阻率与厚度不同的晶格构造完整性好的晶体。半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半

导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能简洁地实现。

硅外延生长方法，又可分为气相外延、液相外延、固相外延。目前国际上广泛的承受化学气相沉积生长方法满足晶体的完整性、器件构造的多样化，装置可控简便，批量生产、纯度的保证、均匀性要求。

外延生长的特点：

〔1〕低〔高〕阻衬底上外延生长高〔低〕阻外延层；

〔2〕P〔N〕型衬底上外延生长N〔P〕型外延层；

与掩膜技术结合，在指定的区域进展选择外延生长；

外延生长过程中依据需要转变掺杂的种类及浓度；

生长异质，多层，多组分化合物且组分可变的超薄层；

实现原子级尺寸厚度的掌握；

生长不能拉制单晶的材料；

气相外延生长

气相硅外延生长是在高温下使挥发性强的硅源与氢气发生反响或

热解，生成的硅原子淀积在硅衬底上长成外延层。

通常使用的硅源是SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3和SiCL4。SiHCl3和SiCl4常温下是液体，外延生长温度高，但生长速度快，易提纯，使用安全，所以它们是较通用的硅源。早期多使用SiCl4，近来使用SiHCl3和SiH2Cl2渐渐增多。

SiH2Cl2在常温下是气体，使用便利并且反响温度低，是近年来

渐渐扩大使用的硅源。SiH4也是气体，硅烷外延的特点是反响温度低，无腐蚀性气体，可得到杂质分布陡峭的外延层，

缺点：

1、要求生长系统具有良好的气密性，否则会因漏气而产生大量的外延缺陷。

2、SiH4在高温顺高浓度下易发生气相分解而生成粉末状硅使外延无法进展。

对衬底的要求

在硅外延中使用的硅衬底是经过切、磨、抛等工艺认真加工而成的，外延生长前又经过严格的清洗、烘干，但外表上仍残存有损伤、污染物及氧化物等。

为了提高外延层的完整性，在外延生长前应在反响室中进展原位

化学腐蚀抛光，以获得干净的硅外表。常用的化学腐蚀剂为枯燥的HCl或HBr，在使SiH4外延生长时，由于SF6具有无毒和非选择、低温腐蚀特点，所以可用它做腐蚀抛光剂。为了掌握外延层的电特性，

通常使用液相或气相掺杂法。作为N型掺杂剂的有PCl3,PH3和AsCl3，而作为P型掺杂剂的有BCl3、BBr3和B2H6等。

气相外延生长过程包括：

反响剂〔SiCl4或SiHCl3+H2〕气体混合物质量转移到衬底外表；

吸取反响剂分子在外表上〔反响物分子穿过附面层向衬底外表迁移〕；

在外表上进展反响或一系列反响；

释放出副产物分子；

副产物分子向主气流质量转移；〔排外〕

原子加接到生长阶梯上。

外延设备及所用的气体

化学气相外延生长使用的设备装置通常称谓外延生长反响炉。一般主要由气相掌握系统、电子掌握系统、反响炉主体、排气系统四局部组成。

依据反响室的构造，硅外延生长系统有水平式和立式两种，前者已很少使用，后者又分为平板式和桶式。立式外延炉，外延生长时基座不断转动，故均匀性好、生产量大。

由于SiCl4等硅源的氢复原及SiH4的热分解反响的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反响器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。通常在石英或不锈钢反响室内放有高纯石墨制的安放硅衬底的基座，为了保证硅外延层质量，石墨基座表面包覆着SiC或沉积多晶硅膜。

反响炉炉体它是在高纯石英钟罩中悬挂着一个多边锥状桶式经过特别处理的高纯石墨基座。基座上放置硅片，利用红外灯快速均匀加

热。九段温控、中心轴可以旋转，进展严格双密封的耐热防爆构造。电源系统：独立电源线、3相4线、50Hz、350A

气体掌握系统：高精度的质量流量计、传动器气动阀掌握，无泄露、耐腐蚀的EP管、氢〔H2〕检漏、报警系统

冷却系统：足够的水冷循环系统和风冷循环系统掌握系统：微机程序掌握、联锁方法，安全牢靠

炉体：石英钟罩、石英环、石英吊杆、护套、双密封泵、高纯石墨基座

温度掌握系统：独特的红外灯辐射加热、9段温控，均匀快速加热，可调

气相外延炉

硅外延生长根本工艺

工艺流程