半导体物理试卷b答案.docx

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一、名词解释〔本大题共5题每题4分，共20分〕

直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。

本征半导体：不含任何杂质的纯洁半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量一样。3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹总分值布的半导体称为简并半导体。

过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴

△p=p-p0称为过剩载流子。

有效质量、纵向有效质量与横向有效质量

答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由试验测得的有效质量后，可以很便利的解决电子的运动规律。

等电子复合中心

等电子复合中心：在III-V族化合物半导体中掺入肯定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差异，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题〔本大题共5题每题3分，共15分〕1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与〔D〕

A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比

C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比

有3个硅样品，其掺杂状况分别是：

甲．含铝1×10-15cm-3 乙.含硼和磷各1×10-17cm-3 丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的挨次是〔C〕

甲乙丙 B.甲丙乙 C.乙甲丙 D.丙甲乙

有效复合中心的能级必靠近(A)

禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级

当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合打算时，其小注入下的少子寿命正比于〔C〕

A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p5．半导体中载流子的集中系数打算于其中的(A)

散射机构 B.复合机构

C.杂质浓变梯度 D.外表复合速度6．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是〔D〕

A.Si B.Ge C.GaAs D.GaN

三、简答题〔20分〕

请描述小注入条件正向偏置和反向偏置下的pn结中载流子的运动状况，写出其电流密度方程，请解释为什么pn结具有单向导电性？ 〔10分〕

解：在p-n结两端加正向偏压VF,VF根本全落在势垒区上，由于正向偏压产生的电场与内建电场方向相反，势垒区的电场强度减弱，势垒高度由平衡时的

qVD

下降到q(VD

-VF

)，耗尽区变窄，因而集中电流大于漂移电流，产生正向注入。

p x n p过剩电子在区边界的结累，使－

p x n p

Tp 0p

内部集中，经过一个集中长度Ln后，又根本恢复到n0p。在-xTp处电子浓度为n(-xTp)，同理，空穴向n区注入时，在n区一侧xTn处的空穴浓度上升到p(xTn)，经Lp后，恢复到p0n。

反向电压VR在势垒区产生的电场与内建电场方向全都，因而势垒区的电场增加，空间电荷数量增加，势垒区变宽，势垒高度由qVD增高到q(VD+VR).势垒

区电场增加增加，破坏了原来载流子集中运动和漂移运动的平衡，漂移运动大于集中运动。这时，在区边界处的空穴被势垒区电场逐向p区，p区边界的电子被逐向n区。当这些少数载流子被电场驱走后，内部少子就来补充，形成了反向偏压下的空穴集中电流和电子集中电流。〔6分〕

电流密度方程：j

?j?exp?qV? ? 〔2分〕

? ??? 1

? ?

?

?BD s? kT? ?

?

B

正向偏置时随偏置电压指数上升，反向偏压时，反向集中电流与V无关，它正比于少子浓度，数值是很小的，因此可以认为是单向导电。 〔2分〕

在一维状况下，描写非平衡态半导体中载流子〔空穴〕运动规律的连续方程

为：?p?D

?2p??

E ??

p?E??p?g

，请说明上述等式两边各个单项

?t p

?x2 p

p ?x ? pp

?p?x所代表的物理意义。〔10

?p

?x

答：?p――在x处，t时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数；〔2分〕

?t

?2pDp?x2

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