半导体物理实验指导书.docx

试验指导书

教学单位：电子工程系课程名称：半导体物理

面对专业：电子科学与技术

电子科技大学中山学院

2023年10月

试验指导书

试验名称：试验一、半导体霍尔效应 学时安排：3

试验类别：验证性 试验要求：必做

一、试验目的和任务

1、理解霍尔效应的物理意义；

2、了解霍尔元件的实际应用；

3、把握推断半导体导电类型，学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度、漂移迁移率及霍尔迁移率的试验方法。

二、试验原理介绍

将一块宽为2a,厚为d，长为b的半导体样品，在X方向通以均匀电流I

X

，Z方向上加有均

匀的磁场B时〔见图1所示〕，则在Y方向上使产生一个电势差，这个电势差为霍尔电势差，

z

用U 表示，这种现象就称为霍尔效应。

H

2a

2a2

X(I)

b

2

d2

图1

与霍尔电势对应的电场，叫做霍尔电场，用E 表示，其大小与电流密度J 和所加磁场强

Y X

度B成正比，可以定义如下形式：

z

E R·B·J 〔1〕

Y= H Z X

上式中，R 为比例系数，称为霍尔系数。

H

霍尔效应的物理意义可做如下解释：半导体中的电流是载流子〔电子或空穴〕的定向动动引起的，一人以速度υx运动的载流子，将受到沦仑兹力fB=eυxBZ的作用，使载流子沿虚线方

向偏转，如图2所示，并最终积存在与Y轴垂直的两个面上，因而产生静电场EY，此电场对载

流子的静电作用力fE=eEY,它与磁场对运动载流子的沦仑兹力fB大小相等，电荷就能无偏离地通过半导体，因而在Y方向上就有一个恒定的电场EY。下面以N型半导体为例：

有 eυB=eE 〔2〕

x Z Y

电流密度 J =enυ

X x

E =

E =

所以

Y ne

J B 〔3〕

X Z

将〔3〕式与〔1〕式比较，可得：

1

RH= ne

〔4〕

上式中n为电子的浓度，e为电子电荷量，其值为e=1.602×10-19C。同理，假设霍尔元件是P型〔既载流子为空穴〕半导体制成的，则R =1/〔pe〕，其中p为空穴的浓度。

H

Y Y

B + B －

Z Z

＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋I I

X X

E υ －–e +e＋ υ

Y X X

______________ U U

H H

f f

B B

— ＋

N型 P型

图2

又因

U

E = H

Y 2a

I

J = X

X 2ad

由〔3〕式得：

I B R

U=X Z

= H·I B=K I B

〔5〕

ned

d X Z

HX Z

K为霍尔元件灵敏度，单位为V/〔A·T〕

H

所以 R =K

H H

·d 〔6〕

霍尔系数R 的单位为m3/C〔米3/库仑〕H

假设霍尔元件的灵敏度K

H

已经测定，就可以用式〔5〕来测量未知磁场B

U

，既有：

Z

KB= H 〔7〕

K

Z I

H X

HH由图2可以看出，假设载流子带正电，则所测出的U极性为下正上负；假设载流子带负电，则所测出的U极性为上正下负。所以，假设知道磁场方向和工作电流方向，就可以确定载流子的类型。反之，假设知道载流子的类型和工作电流方向，就可以判定磁场的方向。

H

H

概据半导体物理性质可知，载流子在半导体中运动时，它将不断地得到散射，

HR 还必需用半导体物理理论加以适当修正，即

H

1

R=?ne

〔8〕

n=? 1 〔9〕

eR

H

式中?为一个偏离1不大的因子，它与半导体的能带构造和散射机理有关，具体地说，对于球形等能面的非简并半导体来说：

长声学波散射时〔晶格散射〕

?=3?≈1.178

8

电离杂质散射时

?=315π≈1.933

512

对高度简并化的半导体?=1

X X我们知道，电导率=J /

X X

或=neμN

，式中μN

为N型半导体的漂移迁移率。将此式与

μHN〔8〕式比较，可得R =?

μ

H

N

假设用μH表示RH·

μN叫做霍尔迁移率所以

μ

?=μΗ

Ν

即μ=R· 〔10〕

H H〔11

H H

通过试验测量出RH和即可算得μH，从而也可求得μN值。对于非简并半导体〔球形等能面〕晶格散射时

8

μN= 3?

R · 〔12〕

H试验原理接线见图3，被测样品一般为短形薄片，为抑制短路效应，要求长和宽之比大于2，被测样品是一块有6根引线电极的N型半导体〔如图4〕，为了减小不等位电势的影响，电位电极

H

2与4，1与3必需对正，即要求2—4、1—3的连线必需垂直于X方向。

处于B磁场中

处于B

磁场中

的样品

Z

L

1

2