半导体集成电路课程教学大纲.docx

《半导体集成电路》课程教学大纲

〔包括《集成电路制造根底》和《集成电路原理及设计》两门课程〕集成电路制造根底课程教学大纲

课程名称：集成电路制造根底

英文名称：TheFoundationofIntergrateCircuitFabrication

课程类别：专业必修课

总学时：32 学分：2

适应对象：电子科学与技术本科学生一、课程性质、目的与任务：

本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。半导体科学是一门近几十年迅猛进展起来的重要兴学科，是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的根底，而半导体工艺主要争论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备，是现今超大规模集成电路得以实现的技术根底，与现代信息科学有着密切的联系。本课程的目的和任务：通过半导体工艺的学习，使学生把握半导体集成电路制造技术的根本理论、根本学问、根本方法和技能，对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的技术、设备、工艺，使学生具有肯定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的力量。并为后续相关课程奠定必要的理论根底，为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实根底。

二、教学根本要求：

1、把握硅的晶体构造特点，了解缺陷和非掺杂杂质的概念及对衬底材料的影响；了解晶体生长技术〔直拉法、区熔法〕，在芯片加工环节中，对环境、水、气体、试剂等方面的要求；把握硅圆片制备及规格，晶体缺陷，晶体定向、晶体研磨、抛光的概念、原理和方法及掌握技术。

2、把握SiO

2

构造及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽集中所需最

小SiO

2

层厚度的估算；了解SiO

2

薄膜厚度的测量方法。

3、把握杂质集中机理，集中系数和集中方程，集中杂质分布；了解常用集中工艺及系统设

备。

4、把握离子注入原理、特点及应用；了解离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火。

5、把握溅射、蒸发原理，了解系统组成，形貌及台阶掩盖问题的解决。

6、把握硅化学汽相淀积〔CVD〕根本化学过程及动力学原理，了解各种不同材料、不同模式CVD方法系统原理及构造。

7、把握外延生长的根本原理；理解外延缺陷的生成与掌握方法；了解硅外延进呈现状及外延参数掌握技术。

8、把握光刻工艺的原理、方法和流程，掩膜版的制造以及刻蚀技术〔干法、湿法〕的原理、

特点，光刻技术分类；了解光刻缺陷掌握和检测以及光刻工艺技术的最动态。

9、把握金属化原理及工艺技术方法；理解ULSI的多层布线技术对金属性能的根本要求，用

Cu布线代替A1的优点、必要性；了解铝、铜、低k材料的应用。

10、把握双极、CMOS工艺步骤；了解集成电路的隔离工艺，集成电路制造过程中质量治理根底学问、统计技术应用和生产的过程掌握技术。

三、课程内容：

1、介绍超大规模集成电路制造技术的历史、进呈现状、进展趋势；硅的晶体构造特点；微电子加工环境要求、单晶硅的生长技术〔直拉法、区熔法〕和衬底制备〔硅圆片制备及规格，

晶体缺陷，硅中杂质和硅单晶的整形、定向及抛光工艺〕。

2、SiO

2

构造及性质，硅的热氧化工艺原理、设备及工艺技术，影响氧化速率的因素，氧化

缺陷，掩蔽集中所需最小SiO

2

层厚度的估算，SiO

2

薄膜厚度的测量。

3、杂质集中机理，集中系数和集中方程，集中杂质分布，常用集中工艺及系统设备以及工艺特点、杂质分布的影响因素。

4、离子注入掺杂工艺原理，浓度分布及影响因素，离子注入系统组成，注入损伤和退火，

离子注入特点及应用。

5、真空技术根底学问，真空系统组成，等离子体根本原理及应用。蒸发和溅射系统组成及工作原理，形貌及台阶掩盖问题的解决。

6、化学汽相淀积〔CVD〕根本化学过程及动力学原理，不同材料、不同模式CVD方法系统原

理及构造，简要介绍多晶硅、二氧化硅等CVD原理、方法以及工艺。

7、外延〔同质、异质〕机理和工艺技术及其装置与质量掌握，外延层杂质浓度分布、外延缺陷掌握及外延厚度和电阻率的测量。

8、光刻工艺的原理、流程、方法及特点，光刻缺陷掌握及检测，光刻技术分类〔光学光刻，非光学光刻〕；最的光刻工艺技术动态，紫外线、X射线和电子束曝光等光刻进展以及掩膜制备；刻蚀分类〔湿法刻蚀、干法刻蚀〕，常用刻蚀液组成及应用，干法刻蚀系统原理及构造组成。了解半导体生产中常用材料的刻蚀技术。

9、金属化与布线技术〔ULSI集成电路对金属性能的根本要求，铝、铜、低k材料的应用和

工艺技术方法，布线技术〕

10、双极、CMOS工艺技术方法及工艺流程；集成电路制造过程中质量治理根底学问，统计技术和生产的过程掌握技术。

工程学时数

工程

学时数

讲课